来源:全球半导体观察 原作者:emma
据外媒消息,三星已经与amd签订价值30亿美元的新协议,将供应hbm3e 12h dram,预计会用在instinct mi350系列上。据称,三星还同意购买amd的gpu以换取hbm产品的交易,但是具体的产品和数量暂时还不清楚。
去年10月,三星举办了“samsung memory tech day 2023”活动,宣布推出代号为“shinebolt”的新一代hbm3e dram。今年2月,三星宣布已开发出业界首款hbm3e 12h dram,拥有12层堆叠,容量为36gb,是迄今为止带宽和容量最高的hbm产品。随后三星开始向客户提供了样品,计划在今年下半年开始大规模量产。
业界消息显示,amd计划在今年下半年推出instinct mi350系列,其属于instinct mi300系列的升级版本,采用台积电的4nm工艺制造,以提供更强的性能并降低功耗。并且由于采用了12层堆叠的hbm3e,该系列提高带宽的同时还加大了容量。
据悉,三星hbm3e 12h dram高达1280gb/s带宽,加上36gb,较前代八层堆叠提高50%。hbm3e 12h采用先进热压非导电薄膜(tcncf)技术,使12层与8层芯片高度相同,满足hbm封装要求。且芯片不同尺寸凸块改善hbm热性能,芯片键合时较小凸块于讯号传输区域,较大凸块放在需散热区域,有助提高产品良率。按照三星的说法,在人工智能应用中,采用hbm3e 12h dram预计比hbm3e 8h dram的训练平均速度提高34%,同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。
据trendforce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于三星是amd长期以来最重要的策略供应伙伴,2024年第一季,三星hbm3产品也陆续通过amd mi300系列验证,其中包含其8h与12h产品,故自2024年第一季以后,三星hbm3产品将会逐渐放量。
据trendforce集邦咨询预测,截至2024年底,整体dram产业规划生产hbm tsv的产能约为250k/m,占总dram产能(约1,800k/m)约14%,供给位元年成长约260%。此外,2023年hbm产值占比之于dram整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。
以hbm产能来看,三星、sk海力士(sk hynix)至今年底的hbm产能规划最积极,三星hbm总产能至年底将达约130k(含tsv);sk海力士约120k,但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品hbm3产品市占率来看,目前sk海力士于hbm3市场比重逾9成,而三星将随着后续数个季度amd mi300逐季放量持续紧追。
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