来源:全球半导体观察 原作者:flora
ai大势下,存储原厂针对hbm的竞争日渐白热化,hbm3e风头正劲,今年有望成为hbm市场主流。与此同时,原厂也在积极布局下一代hbm4技术。
今年4月sk海力士已经宣布将携手台积电共同开发hbm4,预计2026年投产。据悉,两家公司将首先致力于针对搭载于hbm封装内最底层的基础裸片(base die)进行性能改善。hbm是将多个dram裸片(core die)堆叠在基础裸片上,并通过tsv技术进行垂直连接而成。
三星方面,媒体报道该公司已经成立了新的“hbm开发团队”,将专注hbm3、hbm3e和下一代hbm4技术的相关开发工作,以提高三星在hbm市场的竞争力。近期,韩媒报道,三星计划使用4nm先进制程工艺生产hbm4 逻辑裸晶(logic die)。
此前业界猜测三星会用7~8nm制程生产hbm4逻辑裸晶,最新报道显示三星“激进”选择了更先进的制程,这也侧面反映出当前hbm火热发展的态势。
全球市场研究机构trendforce集邦咨询今年5月调查显示,受惠于hbm销售单价较传统型dram(conventional dram)高出数倍,相较ddr5价差大约五倍,加上ai芯片相关产品迭代也促使hbm单机搭载容量扩大,推动2023~2025年间hbm之于dram产能及产值占比均大幅向上。
产能方面,2023~2024年hbm占dram总产能分别是2%及5%,至2025年占比预估将超过10%。产值方面,2024年起hbm之于dram总产值预估可逾20%,至2025年占比有机会逾三成。
针对hbm4的发展,此前集邦咨询则预估,hbm4预计2026年推出,或将转向客制化。各买方开始启动客制化要求,除了hbm可能不再仅是排列在soc主芯片旁边,亦有部分讨论转向堆栈在soc主芯片之上。虽然所有选项仍在讨论可行性中,并尚未定案,但trendforce集邦咨询认为,未来hbm产业将转为更客制化的角度发展,相比其他dram产品,在定价及设计上,更加摆脱commodity dram的框架,呈现特定化的生产。
封面图片来源:拍信网