来源:集邦存储市场 原作者:vinny
据《zdnet korea》报道,三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理choi jang-seok近日表示,即将推出的内存模块被指定为cmm-d2.0,将符合cxl2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的dram内存颗粒。
除了cmm-d模块,三星还在开发一系列cxl存储产品。其中包括集成多个cmm-d模块的cmm-b内存盒模块,以及将dram内存与nand闪存颗粒相结合的cmm-h混合存储模块。
choi jang-seok强调,随着cxl3.1技术的采用,cxl内存资源可以在多个主机之间共享,预计cxl市场将在今年下半年蓬勃发展,在2028年左右实现显着增长。
崔章锡还透露,三星正在内部研究一款名为cmm-dc的新产品。这款产品将以cmm-d模块为基础,提供计算能力。
此外,三星即将推出的cmm-d2.0内存模块遵循cxl2.0协议,该协议是增强数据中心互连性和效率的标准。这些模块采用1ynm工艺dram颗粒,代表20-10nm级别的第二代dram技术。该技术能够生产提供更高容量同时保持性能效率的内存模块。
报道指出,cmm-dc产品的内部研究表明了未来的发展方向,三星的目标是将计算能力与cxl内存模块相结合。内存和计算功能的融合可以为更高效、更强大的数据处理架构铺平道路。
据业界信息,cxl全称computeexpresslink,是一个全新的得到业界认同的互联技术标准,其可以有效解决内存墙和io墙的瓶颈。pci-e技术是cxl技术的底层基础,cxl则可视为pci-e技术的再提高版本,并且,cxl延伸了更多变革性的功能。
目前,cxl已经发表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五个不同的版本,cxl2.0内存的池化(pooling)功能较好的实现了以内存为中心的构想;cxl3.0则实现memorysharing(内存共享)和内存访问,在硬件上实现了多机共同访问同样内存地址的能力;cxl3.1,则具备开启更多对等通信通道的能力,实现了对内存和存储的独立分离,形成独立的模块,并且新规范将支持目前仍在研发中的ddr6内存。
2021年5月,三星开发出全球首款基于cxl的dram技术;2022年推出业界首款高容量512gb cxl dram;2023年5月开发出支持cxl 2.0的128gb cxl dram;2024年第二季度推出支持cxl 2.0的256gb cmm-d产品,并正在与主要客户进行验证。
目前,除了三星,其他两位大厂也在布局该技术。美光在2023年8月推出了其 cxl 2.0 内存模块;sk海力士在2023年10月展示了其cxl产品,包括基于cxl的计算内存yb体育app官方下载的解决方案 (cms) 2.0,使用近内存处理 (nmp) 架构来解决 cpu 内存瓶颈问题并提高处理性能。
封面图片来源:拍信网