存储大厂10亿美元加码hbm先进封装-yb体育app官网

sk海力士负责封装开发的李康旭副社长认为，半导体行业前50年都在专注芯片本身的设计和制造，但是，下一个 50 年，一切将围绕芯片封装展开。

据彭博社报道，sk海力士（sk hynix）今年将在韩国投资超过10亿美元，用于扩大和改进其芯片制造的最后步骤，即先进封装。前三星电子工程师、现任 sk hynix 封装开发主管的李康旭表示，推进封装工艺创新是提高hbm性能、降低功耗的关键所在，也是sk海力士巩固hbm市场领先地位的必由之路。

高度聚焦先进封装
sk海力士hbm不断扩产

sk海力士在最近的财报中表示，计划在2024年增加资本支出，并将生产重心放在hbm等高端存储产品上，hbm的产能对比去年将增加一倍以上。此前海力士曾预计，到2030年其hbm出货量将达到每年1亿颗，并决定在2024年预留约10万亿韩元（约合76亿美元）的设施资本支出——相较2023年6万亿-7万亿韩元的预计设施投资，增幅高达43%-67%。

此前韩媒消息显示，sk海力士扩产的重点是新建和扩建工厂，去年6月有韩媒报道称，sk海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装hbm3的利川工厂，预计到今年年末，该厂后段工艺设备规模将增加近一倍。

从三星、sk海力士、美光三大存储原厂的公开信息来看，三大存储巨头对于2024年存储市场复苏有着一致的预期，即好于2023年。虽然三大厂商仍然对传统存储产品的投产仍然保持谨慎，但对hbm和ddr5的需求信心十足，且已将投资和产能主要转向hbm和ddr5的生产。

值得关注的是，李康旭在hbm研究方面颇有成就。2000年，他就3d集成微系统技术获得日本东北大学博士学位。2002年，他加入三星存储部门，主导through-silicon via(tsv)3d封装技术的开发，这为后来的hbm技术奠定了基础。

不过，三星后续对hbm技术的注意力转移到了其他方向，全球芯片厂商也普遍将封装测试外包给亚洲国家。因此，当sk海力士于2013年推出首款hbm就获得了先发优势。直至2015年底，三星开发出hbm2与其竞争。

目前， 李康旭正协助sk海力士开创了封装第三代hbm2e技术的新方法，这项技术创新是sk海力士在2019年底赢 nvidia客户地位的关键。李康旭近期表示，sk海力士正在将大部分新投资投入到推进mr-muf和tsv技术中。

传hbm良率仅65%
大厂力争通过英伟达测试

据据韩媒报道，近期英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战，因为相比传统dram产品，hbm的良率明显较低。

消息称美光、sk海力士等存储厂商正在英伟达下一代ai gpu的资格测试中将进行竞争。据悉，目前hbm存储芯片的整体良率在65%左右，其中美光、sk海力士似乎在这场竞争中处于领先地位，还在加速提升良率，近期可能率先迎来突破。

hbm良率的高低主要受到其堆叠架构复杂性的影响，这涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通硅晶穿孔（tsv）技术。这些复杂技术增加了制程缺陷的风险，可能导致良率低于设计较简单的内存产品。此外，由于hbm只要有一个芯片存在缺陷，整个封装就需要被丢弃，因此产量相对较低。

市场最新消息显示，尽管面临挑战，美光已于2月26日宣布开始量产高频内存“hbm3e”，这将应用于英伟达最新的ai芯片“h200” tensor core图形处理器（gpu）。h200计划于2024年第二季度出货，以取代当前算力最强大的h100。

与此同时，sk海力士副社长金起台(kim ki-tae) 在2月21日的官方博客中表示，尽管外部不稳定因素仍存，但今年内存市场有望逐渐回暖。这主要得益于全球大型科技客户产品需求的恢复，以及pc或智能手机等ai设备对人工智能应用的需求增长，这不仅有望提升hbm3e的销量，还可能增加ddr5、lpddr5t等产品的需求。

近期，sk海力士副社长金起台表示，今年公司的hbm已经售罄，已开始为2025年做准备。稍早之前，美光科技ceo sanjay mehrotra也对外透露，美光2024年的hbm产能预计已全部售罄。

封面图片来源：拍信网