存储大厂们dram先进制程进行到哪一步了?-yb体育app官网

来源:全球半导体观察    原作者:viki    

10月19日,美光宣布已将业界领先的1β制程技术应用于16gb容量版本的ddr5内存,现已面向数据中心及pc市场的所有客户出货。

性能上,美光1β ddr5 dram提供速率从4800mt/s到7200mt/s的现有模块密度,并采用先进的high-kcmos器件工艺、四相时钟和时钟同步技术,相比上一代产品,性能提升高达50%,每瓦性能提升33%。

美光1β ddr5 dram支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(ai)训练和推理、生成式ai、数据分析和内存数据库(imdb)等应用。

此外,美光的1β技术已应用至公司广泛的内存yb体育app官方下载的解决方案,包括采用16gb、24gb和32gb dram裸片的ddr5 rdimm和mcrdimm;采用16gb和24gb dram裸片的lpddr5x;hbm3e和gddr7。

dram先进制程进展如何?

随着多核cpu数量的增加,满足下一代带宽要求的压力变得更大,因此需要更高的内存技术。目前,dram先进制程技术已发展至第五代,10nm级别,美光称之为1β dram,三星等厂商称之为1b dram。

去年,美光正式量产1β dram,相较上一代的1α(1-alpha)制程,美光最新的1-beta制程功耗降低约15%,位元密度提升超过35%,每颗晶粒容量可达16gb。

1β是目前全球最先进的dram制程节点,随着1β量产出货,美光已经开始布局下一代技术研发。据悉,美光计划于2025年量产1γ dram,该制程将会先在台中有euv的制造工厂量产。

三星方面,今年5月,三星量产12nm级16gb ddr5 dram;9月,三星开发出基于12nm级工艺技术的32gb ddr5 dram,将于今年年底开始量产。

三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段,芯片容量将达到 24gb(3gb)- 32gb(4gb),原生速度将在6.4-7.2gbp。三星透露,将于2026年推出ddr6内存,2027年即实现原生10gbps的速度。

据披露,三星正在开发行业内领先的11nm级dram芯片。李政培表示,三星正在为dram开发3d堆叠结构和新材料。

sk海力士方面,今年1月,sk海力士将第四代10nm级(1a)ddr5服务器dram适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器(4th gen intel® xeon® scalable processors),并在业界首次获得认证。

5月,sk海力士第5代10nm工艺1bnm已完成技术研发,采用“hkmg(high-k metal gate)”工艺,与1a ddr5 dram相比功耗减少了20%以上。并计划,明年上半年将把1b工艺扩大适用于lpddr5t、hbm3e等高性能产品。

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封面图片来源:拍信网

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