新型存储技术迎制程突破-yb体育app官网

近日，三星电子对外表示，8nm版本的emram开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，emram是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的mram（磁阻存储器）。与传统dram相比，emram具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像dram一样刷新数据，同时写入速度是nand的1000倍数。

基于上述特性，业界看好emram未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中，emram被寄予厚望。

三星电子是emram主要生产商之一，致力于推动emram在汽车领域的应用。三星于2019年开发并量产业界首款基于28nm fd-soi的emram，具备28nm emram生产能力之后，另据媒体报道，三星还计划2024年量产14nm emram，2026年量产8nm emram，2027年量产5nm emram。

三星对emram在未来车用领域的应用充满信心，并表示其产品耐温能力已达到150~160℃，完全能够满足汽车行业对半导体的严苛要求。

近年，大数据、人工智能等应用不断普及，带来了海量存储需求，同时也对存储技术提出了更高要求，于是新型存储技术不断涌现，其中scm（storage class memory）是具有代表性的技术，它结合了dram和闪存的特点，具有dram的高速读写性能，又拥有nand闪存的持久存储能力，有望解决dram存储器容量小、易失性和高成本等问题，产品主要包含相变存储器（pcm）、阻变存储器（reram）、磁阻存储器（mram）和纳米管ram（nram）等。

除了三星之外，今年以来铠侠、字节跳动等公司也在新型存储领域有所动作。4月，铠侠cto宫岛英史对外表示，与同时运营nand和dram的竞争对手相比，铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势，有必要培育scm（storage class memory）等新型存储产品业务。为发力先进存储技术，铠侠还将“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。

3月媒体报道，字节跳动投资国内存储芯片公司昕原半导体，成为该公司的第三大股东。资料显示，昕原半导体专注于reram新型存储技术及相关芯片产品的研发，产品涵盖高性能工控/车规soc/asic芯片、存算一体（computing in memory, cim）ip及芯片、系统级存储（system-on-memory, som）芯片三大应用领域。

ai浪潮之下，高容量、高性能存储产品重要性不断凸显，hbm无疑是当前最受关注的产品，市况供不应求，产值持续攀升。

全球市场研究机构trendforce集邦咨询此前预计，2023年hbm产值占比之于dram整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。同时，新型存储技术也不断涌现，3d dram时代即将开启；scm潜力即将释放，pcie 6.0/7.0蓄势待发…

6月19日（周三），trendforce集邦咨询将在深圳福田隆重举办“2024集邦咨询半导体产业高层论坛（trendforce semiconductor seminar 2024）”。

届时，集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷将分别发表《从hbm火爆看内存产业发展趋势》的主题演讲，敬请期待！

封面图片来源：拍信网