三星1000层nand目标，靠它实现？-yb体育app官网

来源：科技新报 2024-05-14 14:19:15

三星电子计划实现“pb级”存储器目标。三星高层曾预期，v-nand在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（hafnia ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。

目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代v-nand快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代nand芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 tb的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。

最新消息是，kaist的研究人员探索了一种新的yb体育app官方下载的解决方案——利用铪铁电体的铁电特性来开发更小、更高效的电容器和存储设备，有助于三星实现千层nand技术，使pb级固态硬盘（ssd）目标不远。

尽管三星并没有直接参与研发，但市场消息称与其有直接关系，虽然还不能确定hafnia ferroelectrics是否会导致pb级存储器设备诞生，但可能发挥主导作用，最终达到里程碑。

封面图片来源：拍信网

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