谁是存储器市场下一个“宠儿”？-yb体育app官网

ai浪潮对存储器提出了更高要求，高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显，存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈：nand flash领域，闪存堆叠层数持续提升；dram领域hbm持续扩产，技术不断迭代，同时3d dram潜力备受关注；兼具dram与nand flash优势的新型存储技术再次被原厂提及；pcie 5.0尚未全面普及，pcie 7.0已经开始蓄势待发…

三星第九代v-nand闪存启动量产

三星近日宣布其第九代v-nand 1tb tlc产品开始量产，今年下半年三星将开始量产四层单元（qlc）第九代v-nand。

图片来源：三星

与三星上一代产品第八代v-nand相比，第九代v-nand 1tb tlc产品提高约50%的位密度(bit density)，功耗也降低了10%。同时，三星通过通道孔蚀刻技术（channel hole etching）提高了生产效率，该技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。

第九代v-nand配备了下一代nand闪存接口“toggle 5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（gbps）。三星表示 ，通过最新的v-nand，三星将在高性能、高密度ssd市场中持续创新，满足未来人工智能时代的需求。

三星新闻稿中未公布第九代v-nand层数，此前业界表示，三星第八代v-nand闪存为236层，第九代v-nand闪存预计是290层。

除了三星外，美光、sk海力士、铠侠/西数等原厂也在持续提高nand堆叠层数。从原厂动作来看，200层远远不是终点，三星计划2030年前实现1000层nand flash，铠侠则计划到2031年批量生产超过1000层的3d nand flash芯片。

hbm4有望2026年投产

hbm市场当前以hbm3为主流，hbm3e则有望在下半年逐季放量，并逐步成为hbm主流，各大原厂扩产也主要集中在hbm3以及hbm3e产品。

同时，为持续提升性能，满足未来ai等应用需要，原厂也已着手开发新一代hbm。

4月sk海力士宣布将携手台积电开发hbm4，预计将于2026年投产。

据悉，两家公司将首先致力于针对搭载于hbm封装内最底层的基础裸片（base die）进行性能改善。sk海力士以往的hbm产品，包括hbm3e（第五代hbm产品）都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从hbm4产品开始计划采用台积电的先进逻辑（logic）工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化（customized）hbm产品。

与此同时，双方将协力优化sk海力士的hbm产品和台积电的cowos技术融合，共同应对hbm相关客户的要求。

3d dram时代将于2025年开启？

与传统dram相比，3d dram可以直接通过垂直堆叠的存储单元进行数据访问和写入，提高访问速度，同时具备高容量、高速度、低功耗和高可靠性等优势。

dram技术竞争当前以先进制程为最大看点，随着节点不断向10nm迈进，现有的设计方案难以进一步发展，因此原厂积极探索3d dram。

三星在memcon 2024 会议上展示了两项3d dram新技术，包括垂直通道晶体管（vertical channel transistor）和堆叠 dram（stacked dram）。

三星在会上表示，预计于2025年后在业界率先进入3d dram时代。据悉，三星将首先引入vct(垂直通道晶体管)技术，之后在2030-2031年，升级到堆叠dram，将多组vct堆在一起，以持续提升dram容量与性能。

铠侠瞄准scm

4月，铠侠cto宫岛英史对外表示，与同时运营nand和dram的竞争对手相比，铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势，有必要培育scm（storage class memory）等新型存储产品业务，其认为，ai热潮下内存与闪存性能差距正在拉大，而scm有望填补这一空白。

为发力先进存储技术，稍早之前铠侠还将“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。

资料显示，scm结合了dram和闪存的特点，具有dram的高速读写性能，又拥有nand闪存的持久存储能力，有望解决dram存储器容量小、易失性和高成本等问题，同时兼顾高速读写和持久存储需求，产品主要包含pcm、reram、mram和nram等。

铠侠在scm领域主要聚焦 xl-flash 闪存方案，与所有闪存一样， xl-flash能够在断开电源时保留数据，此外它还具有极低延迟、高性能特性，能填补易失性存储器（如dram）和当前闪存之间存在的性能缺口，2022年铠侠推出了可支持mlc模式的第二代 xl-flash。

随着铠侠再次重视scm业务，业界认为铠侠scm研究将集中在mram、reram等新型存储上，相关产品有望在未来2到3年内推出。

pcie 7.0规范有望明年推出

pcie是一种高速串行计算机扩展总线标准，用于连接扩展卡和计算机主板之间的数据传输，由于具有高速、高带宽和低延迟的特性，该技术广泛应用于包括存储在内的各种硬件设备中。

随着pcie技术不断发展，性能也在不断提升。存储领域，消费级、企业级等市场已经普遍采用pcie标准ssd产品，目前可以商用的最高规格为pcie 5.0 ssd，作为第5代pcie技术，其速度达到pcie 4.0的两倍，功耗则降低了约30%。同时，pcie 5.0最多支持16通道连接，在x16通道配置下，pcie 4.0的最大理论带宽为64gb/s，而pcie 5.0则可以达到128 gb/s。

pcie 5.0之后，pcie 6.0标准也已经公布，与pcie 5.0相比带宽再次翻倍。此外，近期pcie规范制定组织pci-sig已宣布pcie 7.0规范0.5版本，相较pcie 6.0标准，pcie 7.0在沿用 pam4 信号调制方式的同时再次翻倍速率，可实现128gt/s的原始数据速率，并在x16配置下实现512gb/s的双向比特率。

同时，pcie 7.0支持800 gig以太网，能满足人工智能和机器学习、高性能计算、量子计算、超大规模数据中心和云平台等高端应用的需求。

pci-sig表示，参考目前的开发进度，pcie 7.0规范1.0正式版本有望于2025年内推出。

结语

ai强势驱动之下，存储器市场正持续受益。当前，hbm无疑是最受关注的产品，市况供不应求，产值持续攀升。全球市场研究机构trendforce集邦咨询此前预计，2023年hbm产值占比之于dram整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。

未来，随着存储技术不断突破，新型应用不断涌现，谁将成为存储器市场下一个“宠儿”？我们拭目以待。

封面图片来源：拍信网