全球两大存储厂新消息！-yb体育app官网

来源：集邦存储市场原作者：vinny 2024-04-25 08:11:40

近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代v-nand、铠侠新一代ufs 4.0闪存芯片出样。

4月23日，三星电子宣布，其1tb tlc第9代v-nand已开始量产，巩固了其在nand闪存市场的地位。

据三星介绍，第9代v-nand配备了下一代nand闪存接口“toggle 5.1”，支持将数据输入/输出速度提高33%，达到3.2gbps。除了这个新接口外，三星还计划通过扩大对pcie 5.0的支持来巩固其在高性能ssd市场的地位。

凭借业界最小的单元尺寸和最薄的模组，三星将第9代v-nand的位密度相比第8代v-nand提高了约50%。功耗方面，与上一代相比，第9代v-nand通过低功耗设计的进步，功耗也降低了10%。

三星电子存储业务产品和技术主管sunghoi hur表示，通过最新的v-nand，三星将继续引领高性能、高密度ssd市场趋势，满足下一代人工智能的需求。

据悉，三星将于今年下半年量产四级单元 (qlc) 型号。

铠侠宣布出样最新一代ufs 4.0闪存芯片，新产品提供256gb、512gb和1tb容量规格。

据介绍，新闪存芯片采用了铠侠的bics flash 3d闪存和主控芯片，集成了mipi m-phy 5.0和unipro 2.0，支持每通道23.2 gbps或者每个设备46.4 gbps的理论接口速度，并向后兼容ufs 3.1。

性能方面，与上一代ufs 4.0产品相比，新闪存芯片的顺序写入速度提升15%，随机写入速度提升了50%，随机读取速度提升30%，顺序读取速度不变，依旧维持在4640mb/s。

新产品采用jedec标准的9mm x 13mm封装，比上一代11mm x 13mm的封装小18%，其中256gb和512gb的闪存封装厚度为0.8mm，1tb的封装厚度为0.9mm。

据铠侠表示，256gb和512gb容量的产品于本月开始出样发货，而1tb的产品则需要等到6月后才能发货，样品规格可能会与最终量产版本有不同。

封面图片来源：拍信网

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