存储大厂技术之争愈演愈烈-yb体育app官网
来源：全球半导体观察 原作者：flora
ai、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。
闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代v-nand闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代v-nand闪存，即将量产的第九代v-nand闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代v-nand层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。
而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年前实现1000层nand flash，铠侠则计划到2031年批量生产超过1000层的3d nand flash芯片。
内存方面，存储大厂瞄准先进制程节点以及3d dram。
今年3月美光在财报中透露，目前绝大多数dram颗粒处于1α与1β先进节点，下一代1γ dram将引入euv光刻机，已经进行了试生产。
三星dram芯片工艺处于1b nm级别，近期媒体报道三星计划在年内启动1c nm dram量产，将采用极紫外光（euv）技术制造。2025年三星还将进入3d dram时代，该公司已经对外展示了垂直通道电晶体和堆叠dram两项3d dram技术。
sk海力士同样也在布局3d dram，此前《businesskorea》去年报道，sk海力士提出了将igzo作为3d dram的新一代通道材料。据业界人士表示，igzo是由铟、镓、氧化锌组成的金属氧化物材料，igzo 的最大优势是其低待机功耗，这种特点适合要求长续航时间的dram芯晶体管。通过调节in、ga、zno等三个成分的组成比，很容易实现。
封面图片来源：拍信网
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