来源:全球半导体观察 原作者:刘静
据《韩国经济日报》报道,为提高质量和产量,三星电子近期在存储芯片部门内成立了一个新的高带宽存储(hbm)团队。
该团队将由三星公司执行副总裁兼dram产品和技术主管hwang sang-joon领导,但目前尚未决定该部门将有多少员工。报道指出,这是继今年1月推hbm特别工作组后,三星成立的第二个hbm专门团队。
hbm是一种新型的cpu/gpu内存芯片,全称为high bandwidth memory,即高带宽存储器,专门用于高性能计算和图形处理领域,具有高带宽、低延迟和低功耗等特点,被广泛应用于高性能计算(hpc)、人工智能(ai)等领域。
经过hbm、hbm2、hbm2e和hmb3几代技术更迭,目前,hbm3e是人工智能应用中性能最佳的dram,也是第五代dram内存。
目前,hbm市场竞争主要集中在sk海力士、三星及美光三大原厂。集邦咨询此前预计,2023年三大厂商在hbm领域的市占率分别为53%、38%、9%。
进入2024年以来,各大厂商之间的竞争也愈发激烈。其中美光8层堆叠的24gb容量hbm3e内存将于2024年第二季度开始出货;sk海力士于3月19日宣布其超高性能ai存储器hbm3e开始向客户供货;三星则预计将于今年下半年开始大规模量产12层堆叠hbm3e dram,目前已开始向客户提供样品,此外,三星计划2025年投产下一代hbm4。
事实上,随着ai人工智能爆发来袭,高性能计算推动数据中心对hbm的需求激增。
据trendforce集邦咨询数据显示,2023年hbm产值占比之于dram整体产业约8.4%,至2024年底将扩大至20.1%。集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估,截至2024年底,整体dram产业规划生产hbm tsv的产能约为250k/m,占总dram产能(约1,800k/m)约14%,供给位元年成长约260%。
在广阔的市场前景推动下,全球hbm产能逐渐告急。sk海力士和美光此前均表示,公司2024年的hbm已经售罄。面对强大的产能需求,各大厂商开始扩充产能,其中以三星和sk海力士最为积极。
据集邦咨询观察,三星hbm总产能至年底将达约130k(含tsv);sk海力士约120k,但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。
三星执行副总裁兼dram产品与科技部长hwang sang-joong近日在memcon 2024会议上表示,三星hbm产能有望年增2.9倍,高于其稍早在ces 2024期间提到的2.4倍。此外,三星预测,该公司2026年hbm出货量比2023年高13.8倍,2028年比2023年高23.1倍。
sk海力士则计划将2024年的生产重心放在hbm等高端存储产品上,预计今年hbm产能对比去年将增加1倍以上。sk海力士kwak noh-jung近日在股东大会上亦表示,预计2024年hbm占整体dram销售达两位数,2025年供应依旧紧张。
至于美光,该公司总裁兼首席执行官sanjay mehrotra此前在2024财年第二财季财报会议上表示,2025年大部分产能的供应已经分配完毕,预计hbm产品的出货占比将在明年大幅度攀升。
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