sk海力士超高性能ai存储器‘hbm3e’，全球首次投入量产并开始向客户供货-yb体育app官网

· 继hbm3，其扩展版hbm3e也率先进入量产阶段

· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的ai

· “将维持用于ai的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”

2024年3月19日，sk海力士今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于ai的存储器新产品hbm3e*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成hbm3e后，仅隔7个月取得的成果。

sk海力士表示，“继hbm3，公司实现了全球首次向客户供应现有dram最高性能的hbm3e。将通过成功hbm3e的量产，巩固在用于ai的存储器市场上的竞争优势。”

为了实现一个需要快速处理大量数据的ai系统，芯片封装必须以多重连接（multi-connection）多个人工智能处理器和存储器的方式进行构建。因此，近期对ai扩大投资的全球大型科技公司持续提高对ai芯片性能的要求。sk海力士坚信，hbm3e将成为可满足这些要求的现有最佳产品。

hbm3e不仅满足了用于ai的存储器必备的速度规格，也在散热等所有方面都达到了全球最高水平。此产品在速度方面，最高每秒可以处理1.18tb（太字节）的数据，其相当于在1秒内可处理230部全高清（full-hd，fhd）级电影。

而且，由于用于ai的存储器必须以极快的速度操作，因此关键在于有效的散热性能。为此，公司在新产品上适用advanced mr-muf**技术，散热性能与前一代相比提升了10%。

sk海力士hbm业务担当副社长柳成洙表示，“公司通过全球首次hbm3e投入量产，进一步强化了领先用于ai的存储器业界的产品线”，还表示，“以至今积累的hbm业务成功经验为基础，将进一步夯实与客户的关系，并巩固‘全方位人工智能存储器供应商’的地位。”

* hbm（high bandwidth memory）：垂直连接多个dram，与dram相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。hbm dram产品以hbm（第一代）、hbm2（第二代）、hbm2e（第三代）、hbm3（第四代）、hbm3e（第五代）的顺序开发。 hbm3e是hbm3的扩展（extended）版本

** mr-muf：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。

封面图片来源：拍信网