来源:全球半导体观察 原作者:奉颖娴
ai浪潮之下,以hbm为代表的高附加值dram芯片重要性不断凸显。
存储器是韩国支柱性产业之一,为抓住ai机遇持续推动存储器产业发展,近期,韩媒报道韩国将hbm指定为国家战略技术,并将为三星电子等相关厂商提供税收优惠。
据悉,韩国中小企业可享受高达40%至50%的减免,三星电子等中大型企业可享受高达30%至40%的减免。
hbm(high bandwidth memory)即高带宽存储器,属于图形ddr内存的一种,与传统dram芯片相比,hbm具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势,可以加快ai数据处理速度,更适用于chatgpt等高性能计算场景,因而近年备受存储大厂重视。
目前hbm市场以三星、sk海力士与美光三家存储大厂主导,自2014年首款硅通孔hbm产品问世至今,hbm技术顺利从hbm、hbm2、hbm2e向hbm3、hbm3e迭代。
全球市场研究机构trendforce集邦咨询调查显示,2023年hbm市场主流为hbm2e,包含nvidia a100/a800、amd mi200以及多数csps自研加速芯片皆以此规格设计。为顺应ai加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品hbm3e,预期hbm3与hbm3e将成为市场主流。
hbm3e进度依据时间轴排列如下表所示,美光已于2023年7月底提供8hi(24gb)nvidia样品、sk海力士已于2023年8月中提供8hi(24gb)样品、三星则于2023年10月初提供8hi(24gb)样品。
至于更高规格的hbm4,集邦咨询预计其有望于2026年推出。目前包含nvidia以及其他csp(云端业者)在未来的产品应用上,规格和效能将更优化。
例如,随着客户对运算效能要求的提升,hbm4在堆栈的层数上,除了现有的12hi (12层)外,也将再往16hi (16层)发展,更高层数也预估带动新堆栈方式hybrid bonding的需求。hbm4 12hi产品将于2026年推出;而16hi产品则预计于2027年问世。
随着英伟达、amd等厂商不断推出高性能gpu产品,三大原厂也在积极规划相对应规格的hbm量产。
此前,媒体报道为了扩大hbm产能,三星已收购三星显示(samsung display)韩国天安厂区内部分建筑及设备,用于hbm生产。三星计划在天安厂建立一条新封装线,用于大规模生产hbm,该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等,预计追加投资7000亿-1万亿韩元。
美光科技位于台湾地区的台中四厂已于2023年11月初正式启用。美光表示,台中四厂将整合先进探测与封装测试功能,量产hbm3e及其他产品,从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。该公司计划于2024年初开始大量出货hbm3e。
sk海力士在其最新财报中表示,去年在dram方面,公司以牵引市场的技术实力积极应对了客户需求,结果公司主力产品ddr5 dram和hbm3的收入同比分别增长4倍和5倍以上。同时,为顺应高性能dram需求的增长趋势,sk海力士将顺利进行用于ai的存储器hbm3e的量产和hbm4的研发,同时将ddr5 dram和lpddr5t dram等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。
封面图片来源:拍信网