存储大厂公布先进制程dram进展-yb体育app官网
来源：全球半导体观察
随着ai、大数据等技术不断普及，业界对dram芯片要求持续上升，为提升性能与容量，存储器大厂纷纷瞄准先进制程技术。
近期，美光对外透露了先进dram技术进展。日媒报道，12月13日美光日本法人高层joshua lee对外表示，美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储器1γ dram。joshua lee指出，美光将成为第一家将euv（极紫外光）光刻机导入日本的半导体企业。此外，美光还计划在广岛工厂生产生成式ai用hbm。
稍早之前，美光还对外透露，1α与1β dram以及176、232层nand flash占据位元出货主力，美光首次采用极紫外光制程技术的1γ dram进展顺利，预计2025年量产。下一代nand flash同样进展顺利。
其他厂商方面，今年5月30日，sk海力士宣布已完成现有dram中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的ddr5服务器dram提供于英特尔公司（intel®）开始了“英特尔数据中心存储器认证程序。该公司表示，明年上半年将把1b工艺扩大适用于lpddr5t、hbm3e等高性能产品。
封面图片来源：拍信网
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