来源:全球半导体观察
近期,美光首席执行官sanjay mehrotra透露,美光计划于2024年初开始大量出货hbm3e。据悉,美光hbm3e目前正在进行英伟达认证,首批hbm3e采用8-hi设计,提供24gb容量和超过1.2tb/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36gb 12-hi hbm3e堆叠。此前美光曾透露,预计2024年新的hbm将带来「数亿」美元的收入。
无独有偶,另一家存储大厂三星近期也公布了hbm新进展。据三星电子副社长、dram产品与技术团队负责人黄尚俊透露,三星电子已开发出9.8gbps的hbm3e,计划开始向客户提供样品。同时,三星正在开发hbm4,目标2025年供货。据悉,三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(ncf)组装技与混合键合(hcb)等技术,以应用于hbm4产品。
ai热潮之下,hbm成为存储器市场“新宠”,三大原厂正积极布局。
全球市场研究机构trendforce集邦咨询表示,两大韩厂sk海力士、三星先从hbm3开发,代表产品为nvidia h100/h800以及amd的mi300系列,两大韩厂预计于2024年第一季送样hbm3e;美系原厂美光则选择跳过hbm3,直接开发hbm3e。
hbm3e将由24gb mono die堆栈,在8层(8hi)的基础下,单颗hbm3e容量将一口气提升至24gb,此将导入在2025年nvidia推出的gb100上,故三大原厂预计要在2024年第一季推出hbm3e样品,以期在明年下半年进入量产。
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