存储器大厂:hbm4,2025年供货!-yb体育app官网

来源:全球半导体观察    原作者:flora    

人工智能浪潮之下,hbm从幕后走向台前,市场需求持续看涨。全球市场研究机构trendforce集邦咨询预测,2023年hbm需求量将年增58%,2024年有望再成长约30%。

与传统dram相比,hbm具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势,可以加快ai数据处理速度,更适用于chatgpt等高性能计算场景,因而备受青睐,存储大厂也在积极推动hbm技术迭代。

存储大厂持续发力,三星将推出hbm4

自2014年首款硅通孔hbm产品问世至今,hbm技术已经更新迭代出多款产品,分别有hbm、hbm2、hbm2e、hbm3、hbm3e等。

原厂规划方面,此前集邦咨询调查显示,两大韩厂sk海力士(sk hynix)、三星(samsung)先从hbm3开发,代表产品为nvidia h100/h800以及amd的mi300系列,两大韩厂预计于2024年第一季送样hbm3e;美系原厂美光(micron)则选择跳过hbm3,直接开发hbm3e。

hbm3e将由24gb mono die堆栈,在8层(8hi)的基础下,单颗hbm3e容量将一口气提升至24gb,此将导入在2025年nvidia推出的gb100上,故三大原厂预计要在2024年第一季推出hbm3e样品,以期在明年下半年进入量产。

除了hbm3、hbm3e之外,最新消息显示,存储大厂还在规划推出下一代hbm——hbm4。

近日,三星电子副社长、dram产品与技术团队负责人黄尚俊对外表示,三星电子已开发出9.8gbps的hbm3e,计划开始向客户提供样品。同时,三星正在开发hbm4,目标2025年供货。据悉,三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(ncf)组装技与混合键合(hcb)等技术,以应用于hbm4产品。

9月韩媒报道表示,为了掌握快速成长的hbm市场,三星将大幅革新新一代产品制程技术,并推出hbm4产品。据悉,hbm4内存堆栈将采用2048位内存接口 。此前所有hbm堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位,足以可见hbm4具备的变革意义。

hbm4为时尚早,明年市场主流还得看hbm3与hbm3e

尽管hbm4将有大突破,但它毕竟不会很快到来,谈应用以及普及为时尚早。业界指出,当前hbm市场以hbm2e为主,未来hbm3与hbm3e将挑起大梁。

集邦咨询调查显示,当前hbm市场主流为hbm2e,包含nvidia a100/a800、amd mi200以及多数csps自研加速芯片皆以此规格设计。同时,为顺应ai加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品hbm3e,预期hbm3与hbm3e将成为明年市场主流。

以hbm不同世代需求比重而言,据trendforce集邦咨询表示,2023年主流需求自hbm2e转往hbm3,需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用hbm3的加速芯片陆续放量,2024年市场需求将大幅转往hbm3,而2024年将直接超越hbm2e,比重预估达60%,且受惠于其更高的平均销售单价(asp),将带动明年hbm营收显著成长。

封面图片来源:拍信网

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