来源:全球半导体观察整理
ai大势下,高带宽内存 (hbm) 从幕后走向台前,备受存储市场关注。近期,媒体报道下一代hbm将迎来重大变化,hbm4内存堆栈将采用2048位内存接口 。
自2015年以来,所有hbm堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位,足以可见hbm4具备的变革意义。
另据韩媒报道,三星为了掌握快速成长的hbm市场,将大幅革新新一代产品制程技术,预计2026年量产hbm4。
尽管hbm4将有大突破,但它不会很快到来。当前hbm市场以hbm2e为主,未来hbm3将挑起大梁。
全球市场研究机构trendforce集邦咨询调查显示,当前hbm市场主流为hbm2e,包含nvidia a100/a800、amd mi200以及多数csps自研加速芯片皆以此规格设计。同时,为顺应ai加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品hbm3e,预期hbm3与hbm3e将成为明年市场主流。
以hbm不同世代需求比重而言,据trendforce集邦咨询表示,2023年主流需求自hbm2e转往hbm3,需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用hbm3的加速芯片陆续放量,2024年市场需求将大幅转往hbm3,而2024年将直接超越hbm2e,比重预估达60%,且受惠于其更高的平均销售单价(asp),将带动明年hbm营收显著成长。
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