来源:technews科技新报
近日,在第70届ieee国际固态电路会议(isscc)上,韩国存储器大厂sk海力士展示了最新300层堆叠第八代3d nand flash快闪存储器原型。sk海力士表示,新3d nand flash快闪存储器预定两年内上市,有望打破纪录。
外媒报导,sk海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3d nand flash开发,提供1tb(128gb)容量,20gb/mm2单位容量、16kb单页容量、四个平面和2,400mt/s的介面。最大资料传输量达194mb/s,较上一代238层堆叠和164mb/s传输速率的第七代3d nand flash高18%。更快输入和输出速度,有助pcie 5.0×4或更高介面利用率。
sk海力士研发团队称,第八代3d nand flash采用5项新技术。
首先,三重验证程式(tpgm)功能可缩小单元阈值电压分布,并将tprog(编程时间)减少10%,转化成更高性能。
其次,采用adaptive unselected string pre-charge(ausp)技术,再将tprog降低约2%。
第三,apr方案可将读取时间降低约2%,并缩短字线上升时间。
第四,编程虚拟串(pds)技术可藉由降低通道电容负载缩短tprog和tr的界线稳定时间。
最后,平面级读取重试(plrr)功能,允许不终止其他平面下,更改平面的读取等级,立即发出后续读取命令,提高服务质量(qos),提高读取性能。
由于新产品还在开发,sk海力士尚未透露量产时间。尽管如此,有分析师仍预估最早2024年有变化,最迟2025年出现。
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