来源:全球闪存市场
据外媒《businesskorea》报道,三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3d dram商业化,并认为3d dram是克服dram物理局限性的一种方法。
三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人lee jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“ieee edtm 2023”上表示,3d dram被认为是半导体产业的未来增长动力。
考虑到目前dram线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型dram商品化将成为一种必然,而不是一种方向。
与现有的dram市场不同,3d dram市场上目前还没有绝对的领导者,因此快速量产才是至关重要的。随着chatgpt等人工智能(ai)应用产品的活跃,市场对高性能、大容量存储半导体的需求将会增加。
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