台积电英飞凌强强联合，新型存储rram发展如何？-yb体育app官网

存储器的发展取决于应用场景的变化，当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求，新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器（resistive random access memory，reram或rram）逐渐受到市场重视。

近日，英飞凌官方消息称，其下一代aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（rram），而不是嵌入式闪存（eflash），并将在台积电的28纳米节点上制造。

当前，英飞凌基于台积电28纳米eflash技术的autrix tc4x系列微控制器样品已经交付给主要客户，其基于台积电28纳米rram技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，autrix tc4x系列微控制器专为adas而设计，可提供新的e/e架构和经济实惠的ai应用。

公开资料显示，嵌入式闪存微控制器自推出第一批发动机管理系统以来，就被用作汽车中的ecu，市场上大多数mcu系列都基于eflash技术，但该技术一直在努力迁移到28纳米以下，并且业界认为其效率低于rram。英飞凌认为，与台积电的合作成功奠定了rram在汽车领域的基础，并使其autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。

在新型存储器中，rram不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。安全性方面，rram具备可靠性，未来有望出现高性能、高集成度、高稳定性和低功耗的车规rram存储器。

英飞凌声称，台积电提供的带有rram的aurix微控制器将提供更高的抗扰度，并允许按位写入而无需擦除，从而实现优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示，循环耐力和数据保留与闪存相当。

台积电业务发展高级副总裁kevin zhang表示，台积电和英飞凌已经在一系列不同应用中就rram技术进行了近十年的合作，将tc4x迁移到rram将为在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。

目前，台积电的非易失性存储器yb体育app官方下载的解决方案包括闪存、自旋传递扭矩mram（stt-mram）和rram。该代工厂还在探索相变ram（pcram）和自旋轨道扭矩mram（sot-mram）技术。据悉，台积电2018年开始量产汽车用40纳米eflash技术，但其40纳米超低功耗嵌入式rram技术，完全兼容cmos工艺，已于2017年底进入风险生产。2021年，台积电代工厂的40纳米rram技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本yb体育app官方下载的解决方案。

rram的最新研究

目前，业界新型存储器主要有4种，相变存储器（pcm）、阻变存储器（reram）、铁电存储器（feram）、磁性存储器（mram）。从当前各类存储技术的发展水平和特点，rram有望成为闪存的替代品。

谈及rram的优势，有业界人士认为，rram可以将dram的读写速度与ssd的非易失性结合于一身，因此其拥有了擦写速度高、耐久性强、单个存储单元能存储多位数据的优势，并且它的功耗极低。

rambus labs高级副总裁gary bronner就曾强调，rram的功耗比闪存低得多，可能是下一代mcu的一个关键差异化因素。此外，在2016年《application study: rram for low-power microcontrollers》论文曾指出，rram的一个可能应用领域就是mcu中所有易失性存储器的备份存储器。

从rram具体动态看，rram代工工艺由台积电、华邦和格芯（globalfoundries）提供支持，rram由瑞萨（通过收购adesto）、富士通、microchip（美国微芯科技公司）和索尼作为独立产品生产，而新唐则在微控制器中生产，另外还有许多公司正在开发reram工艺。

在商业化上，crossbar、昕原半导体、松下、adesto、elpida、东芝、索尼、美光、海力士、富士通等厂商都在开展rram的研究和生产。

在代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都已经将rram纳入自己未来的发展版图中，目前已量产的海外rram存储器主要有adesto的130纳米cbram和松下的180纳米rram。

据悉，松下在2013年开始出货rram，成为世界第一家出货rram的公司。接着，松下与富士通联合推出了第二代rram技术，基于180纳米工艺。而adesto则一直在缓慢地出货低密度cbram。

此外，昕原半导体在crossbar的基础上实现了技术核心升级和工艺制程的改进，实现28纳米量产，并且已建成自己的首条量产线，拥有了垂直一体化存储器设计加制造的能力；兆易创新和rambus则宣布合作建立合资企业合肥睿科微，进行rram技术的商业化，但目前还无量产消息。

封面图片来源：拍信网