来源:全球半导体观察整理
据韩国媒体报道,三星ddr6内存已经投入研发,并预计在2024年之前完成设计。
报道称,三星负责测试和系统封装(tsp)的副总裁在韩国水原的一次研讨会上透露,随着未来内存本身性能的扩大,封装技术也需要不断发展。该公司证实,它已经处于下一代ddr6内存的早期开发阶段,将采用msap(改良半加成法)封装技术。
根据三星的说法,msap已经被其竞争对手(sk海力士和美光)用于ddr5。
那么,msap有什么新特点呢?
据介绍,msap修正后的半加成工艺允许dram制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的,这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代ddr6内存不仅将利用msap来加强电路连接,而且还将适应ddr6内存中增加的层数。
三星预计,其ddr6设计将在2024年之前完成,但预计2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言,ddr6内存将是现有ddr5内存的两倍,传输速度可达12800mbps(jedec),超频后的速度可超过17000mbps。
目前,三星最快的ddr5 dimm的传输速度为7200mbps,在jedec标准下提高了1.7倍,在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。
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