来源:netac朗科科技
4266mhz频率的ddr4内存并不少,但是能在能做到4266mhz c18同时将电压控制在1.35v的,大名鼎鼎的三星b-die不行,海力士djr不行,美光b-die同样也不行。
唯一能够做到的,你绝对想象不到,会是国产的长鑫a-die颗粒!
近段时间,朗科推出了基于长鑫a-die颗粒的绝影rgb ddr4-4266内存,时序cl18-22-22-42,电压1.35v。
朗科绝影rgb ddr4 4266mhz内存的时序和电压已经足够低了,在这个基础上,它还拥有令人咋舌的超频能力,其超频能力之强,令特挑的三星b-die也望尘莫及。
关于超频,我们在后面的篇幅会进行非常详尽的介绍和测试。
除了强劲的超频能力之外,绝影rgb ddr4内存在灯光效果方面也非常用心。
朗科在内存的pcb板上集成了一颗ene 6k5830ua0芯片,用于控制灯效,可以实现神光同步,也能让玩家自由设置rgb灯效。
目前市面上绝大多数支持rgb灯效的内存都没有专门的控制芯片,也就是说无法让玩家控制灯效,当然也无法做到神光同步效果。
朗科绝影rgb ddr4 4266mhz内存参数如下:
朗科绝影rgb ddr4采用对称式设计理念,散热马甲采用的是0.8mm 5052铝材,经冲压一体成型,最后再使用电镀银工艺进行处理。
中间是绝影logo。顶部的导光柱也做了电镀银处理,整条内存看上去浑然一体。内存采用单面设计,一面有8颗内存颗粒,另一面是空的。
特挑的长鑫a-die颗粒。
放在鑫谷斜杠青年mini机箱内的装机效果图。
测试平台如下:
1、性能测试
cpu-z可以检测出一部分参数,朗科制造、长鑫颗粒。
内置有2组xmp参数,分别是4266mhz 19-26-26-46和4266mhz 18-22-22-42,电压都是1.35v。
2组xmp设置分别组了测试,以下测试都是基于gear 2模式。
4266mhz 18-22-22-42 下,内存读取、写入复制带宽分别为62gb/s、61.7gb/s、58gb/s,延迟55.1ns。
4266mhz 19-26-26-46下,写入复制带宽分别为61gb/s、61.5gb/s、57gb/s,延迟62.3ns。
这里的读写速度变化不大,主要是延迟增加了不少,从55.1ns直接到了62.3ns。
2、超频测试
在xmp1模式下超频到4600mhz时,时序不变,电压依旧是1.35v,vccio与vccsa电压自动,分别为1.056v和1.312v。
实测内存读取、写入、复制速度分别为65.8gb/s、66gb/s、62gb/s,延迟54.2ns。
超频到4800mhz时,时序还是19-26-26-46,但需要将电压加到1.45v才能稳定,vccio与vccsa电压依然是1.056v和1.312v。
实测内存读取、写入、复制带宽分别是69gb/s、69gb/s、64.5gb/s,延迟为52.5ns。
3、稳定性测试
使用memtest pro 4.3测试超频后的稳定性,运行了近2个小时,进度达到了270%依然是0报错,证明了朗科绝影rgb ddr4-4266内存可以在1.45v的电压下能稳定在4800mhz c19频率下运行。
随着ddr5时代的来临,ddr4内存看似已经出沦为明日黄花,但是如今ddr5内存也有明显的缺点。
第一是价格太贵,就算是如今价格大降之后,其售价依然是同容量ddr4内存的1.5~2倍。
第二是延迟太高,ddr5内存大都cl40起步,过高的时序和延迟导致即便是5200mhz频率的ddr5内存,其游戏性能也仅仅只是与低时序的ddr4 3600mhz相当。
考虑到12代酷睿和未来的13代酷睿处理器依旧支持ddr4内存,而高频的ddr4内存凭借极低的延迟,游戏性能可以轻松碾压ddr5,所以对于游戏玩家来说,近一两年仍可优先考虑高频低时序的ddr4内存。
再来说说朗科绝影rgb ddr4-4266内存。
1.35v 4266mhz c18已经令人叹为观止了,然而经过超频我们发现,它竟然能在1.35v电压下超频到4600mhz c19。
单论这个成绩,可以花式吊打各类特挑的b-die、cjr、djr内存,长鑫颗粒能够做到这样的程度,是我们先前没有想到的。
三星b-die要达到同样的频率和时序,可能需要1.5v、1.6v甚至更高的电压。
如果继续往上超,绝影ddr4 4266mhz内存需要1.45v的电压才能到4800mhz c19,此时内存的读写带宽已经逼近70gb/s,而延迟更是只有52ns。
相比之下,ddr5 4800mhz c40的带宽虽然也有70gb/s,但其延迟则高达85ns,游戏性能被4800 c19的ddr4内存甩了几条街。
当前,如果12代酷睿是追求极致的游戏性能,显然高频的ddr4内存会是更合适的选择。