来源:中时电子报 原作者:涂志豪
今年以来dram及nand flash严重缺货,价格涨不停,智能手机及笔电基于成本考量,传出不再提高搭载容量消息。实际上,智能手机厂过去几年将搭载高容量dram及nand flash作为销售题材,但今年价格大涨使成本比重垫高,手机搭载容量不再提升,改为力推高解析度面板及双镜头。笔电厂则要消费者自己买dram模组或ssd来安装。
由于智能手机及笔电的功能日益强大,对dram及nand flash的搭载容量需求自然水涨船高。不过,存储器市场自去年下半年以来就面临供给吃紧压力,今年价格更是大涨,包括4gb ddr3/ddr4模组合约价在第一季涨至25美元左右,季度涨幅超过3成;另行动用8gb lpddr3价格也涨至5.5~6.0美元之间,季度涨幅逾1成。
nand flash市场以tlc规格芯片缺货最严重,采用tlc规格nand flash的手机用32gb emmc存储器模组第一季价格已冲上10美元,采用tlc规格nand flash的120gb固态硬盘(ssd)站上45美元,平均涨幅同样超过10%。
面对dram、nand flash双涨,手机厂及笔电厂面临严重成本上升压力。以大陆智能手机厂来说,过去几年都以搭载高容量dram及nand flash来做销售卖点,但今年包括oppo、vivo等手机厂只维持mobile dram搭载量在3~4gb,没有如预期般提升到6gb,nand flash搭载也控制在64gb为主流,128gb以上高容量只有旗舰机型才有。
手机厂今年主打促销转向强调搭载高解析度面板,或是采用与苹果、三星同等级的amoled面板,再来就是强调双镜头的摄影功能。业者坦言,存储器价格涨上来后,占整机成本比重已超过1成,成本上吃不消,只好停止存储器的容量升级,将规格升级放在高解析度面板及千万像素以下双镜头的部分。
笔电厂也面临存储器成本过高压力。oem业者表示,搭载英特尔最新kaby lake处理器及微软windows 10的笔电,原本应该要提高ssd容量至250gb以上,并搭载8gb dram模组,但在成本过高下只好维持原本的120/128gb ssd及4gb dram的搭载,消费者若要提高规格,就请消费者自己买dram或ssd来自行安装。