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dram/nand flash 现货市场最新报告:
2005年10月4日到10月11日,dxi指数从3046.31下降33.49点,到3012.82,降幅达33.49个点。上周,由于需求不振,dram成交价在小范围内浮动。dram现货市场由于交易范围小,主流颗粒256mb(32mbx8)ddr 400mhz的价格从2.57美元微跌到2.55美元,256mb ett颗粒从2.25美元降至2.22美元,512mb(64mbx8)从5.51美元降到5.47美元,而ddr2 512mb也从5.07美元下跌到5.02美元。
在韩国和中国,因贸易商对疲软的价格和本月初的国庆长假很谨慎,所以现货市场交易不多。在欧洲,买家从芯片供应商那里成功获得低价颗粒。
nand flash方面,由于市场供应紧缺,现货市场持续上扬,但交易量有限。1gb、2gb、4gb和8gb的芯片价格如下:1gb从6.9美金增长3.45%,为7.14美金;2gb从11.77美金增长8.6%,到12.79美金;4gb从23.89美金增长9.1%后,为26.09美金;而8gb也有5.16%的涨幅,从50.91美金上涨到53、54美金。
dram合约市场最新报告:
目前,供应商产能转移到ddr2,依然是超前于终端市场的实际需求的。相反地,ddr供应持续紧缺。结果,ddr合约价在8月下旬和9月上旬保持平稳,而ddr2价格却下跌。然而,尽管ddr需求依然不错,但却因ddr2疲软的价格,致使十月上旬ddr合约价有所下滑。买家期望缩小ddr和ddr2的价差。
dram九月生产量最新报告:
dram的总产出,以256mb为例,从8月的五亿六千八百七十四万增加到9月的六亿两千七百七十九万。我们认为韩国、欧洲和日本供应商的12寸晶圆产能扩大和90奈米制程生产为dram产出增长的主要原因。
ddr2产出,以256mb为例,从8月的一亿九千二百六十万增加到9月的两亿三千八百八十万。与8月的33.66%相比,9月占全球dram的总产出比例增长到37.83%。9月,三星、英飞凌、尔必达和南亚ddr2的产出都超过了ddr,结果,这些公司体验到了比预期还要低的ddr2需求带来的巨大压力。
因支持ddr2技术的晶片组供应紧张,促使dram制造商在2005年第4季度减少高容量ddr2的产出。因此,我们认为,在ddr2需求显现之前,其产出增长率也许会有所放缓。(更多详情收录在mi会员报告里)。