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上周二所公布的的9月下旬dram合约价全面走跌,其中256mb及512mb ddr颗粒合约价下滑3%,而512mb ddr2颗粒则下滑近5%,整体表现依旧呈现弱势状态,这是因为市场上原本期待的9月份返校潮买气似乎消失了,再加上中国大陆十一长假效应也不见贸易商大量补货,因此才会导致没有dram合约价的火花难以点燃,若以现阶段各家业者(promos、powerchip..等)新增产能陆续开出下,短时间内dram价格恐怕是难有惊人表现,只能期待年底圣诞节买气激励市场动能。
ddr 256mb 32x8 400mhz 的现货价涨幅0.78%,9/27 以us$2.5收盘,而ddr 512mb 32mx8 的价格则是下跌至us$5.65跌幅1.05%。ddr2 512mb 533mhz 及ett ddr 的价格则是持平状态。
展望本周,由于上周二所开出的合约价影响着市场,再加上9月底季底作帐压力,可以预料本周市场dram价格走势不会太过乐观,不过现货市场目前看来,似乎仍旧想办法要将价格守在一定价位区间内,其原因应是仍期待十一长假需求能在最后关头倾巢而出。
至于nand flash部分,上周所开出来的合约价,8gb的价格呈现上涨,而4gb在连跌7个月之后,首度出现反弹,幅度约为3%,至于2gb及1gb则是持平,很明显地ipod nano所带动起来的需求,造成高容量nand flash货源部分短缺,导致价格上涨,但是低容量的nand flash却因为新加入的供应者(micron)产能开出,因此虽然市场上依旧有需求,但是没有办法带动价格上扬。
8gb nand flash 在上周成长的幅度大约为6.35%,9/27 以us$50.05 收盘。4gb 的现货价以us$23.64收盘,涨幅1.11%。而2gb及1gb 的价格 则是分别下跌3.74% 及 0.14%。
至于本周的nand flash价格部分,高容量的nand flash价格逐步上扬不成问题,但是低容量的nand flash,在三星电子(samsung)的价格下滑压力下,将让其它业者价格受到压缩,上涨空间有限。今天市场上传出上海力士(hynix)为了不让三星电子独霸高容量nand flash市场,海力士可说是快马加鞭,将于10月正式推出旗下第一颗8gb的nand型flash产品,虽然说不是由单颗8gb所组成,而是利用4gb堆栈而成,但对于4gb nand flash而言,会产生一定幅度缺口,但是对于8gb nand flash,就必须要视苹果计算机(apple)未来几个月ipod nano销售量才能够知道供需变化为何。