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【材料/设备】已申请3项发明专利!国内8英寸碳化硅单晶取得新突破

近日,中国科学院物理研究所在其yb体育app官方下载官网宣布,已成功研制出单一4h晶型的8英寸sic晶体,晶坯厚度接近19.6 mm...

碳化硅 化合物半导体 宽禁带半导体

材料/设备

【功率器件】南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展

近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展...

氮化镓 宽禁带半导体

功率器件

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