武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产 存储单元面积和密度达国际先进水平-yb体育app官网

6月4日，武汉新芯集成电路制造有限公司透露，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（spi nor flash）芯片已全线量产。

目前，在全球nor flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，已逼近此类芯片的物理极限，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。

据了解，武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破，随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升，武汉新芯用了18个月。

flash指非易失性存储介质。此次量产产品为宽电源电压产品系列xm25qwxxc，容量覆盖16兆到256兆。性能测试显示，在1.65伏至3.6伏电压范围内，该系列nor flash存储芯片的工作频率可达133兆赫，即使在零下40℃或105℃这种极端温度下，依然不会停止“芯跳”。其无障碍重复擦写可达10万次，数据保存时间长达20年。

研发人员介绍，作为nor flash存储芯片中的“闪电侠”，该芯片在连续读取模式下，能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期，即可读取24位地址。不仅如此，它还可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上，令用户通过宽电压功能实现更好的库存管理。

“对此次研发而言，最难的挑战是速度、功耗和可靠性。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏说，随着50纳米nor闪存的重大突破，武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力，针对快速发展的物联网和5g市场，持续研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线。

近期，武汉新芯与业内领先的物联网核心芯片和yb体育app官方下载的解决方案平台乐鑫科技达成长期战略合作，双方将围绕物联网应用市场，在物联网、存储器芯片与应用方案开发上展开合作。乐鑫科技ceo张瑞安表示，武汉新芯nor flash存储芯片，支持低功耗、宽电压工作，能满足该平台全系物联网芯片、智能家居及工业模组的应用要求。

武汉新芯成立于2006年，专注于nor flash存储芯片的研发制造，并以全球领先的半导体三维集成制造技术，在图像传感器、射频芯片、dram存储器等产品上，不断实现性能和架构突破。

封面图片来源：武汉新芯yb体育app官方下载官网