长飞先进武汉基地首栋建筑封顶,预计明年7月投产-yb体育app官网

来源:全球半导体观察整理       

据中国光谷5月10日消息,日前,长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着,该项目进入投产倒计时,预计于今年6月全面封顶,明年7月投产。

消息称,长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区,由长飞先进半导体(武汉)有限公司出资建设,总投资预计超过200亿元。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域,致力于打造全智能化的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后,将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

该项目由中建一局承建,占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等,建设周期为578日历天。项目达产后,预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。

封面图片来源:拍信网

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