来源:全球半导体观察整理
7月24日,三安半导体宣布,芯片二厂m6b设备入场。这标志着三安碳化硅(sic)项目二期通线在即,将为全面加速8英寸sic产业布局,实现产线正式投产奠定良好基础。
据三安半导体介绍,湖南三安sic项目总投资高达160亿人民币,旨在打造6英寸/8英寸兼容sic全产业链垂直整合量产平台。项目达产后,将具备年产36万片6英寸sic晶圆、48万片8英寸sic晶圆的制造能力。预计到今年12月,m6b将实现点亮通线,8英寸sic芯片将正式投产,湖南三安半导体正式转型为8英寸sic垂直整合制造商。
重庆三安意法sic项目总规划投资约300亿元人民币,项目达产后将建成全国首条8英寸sic衬底和晶圆制造线,具备年产48万片8英寸sic衬底、车规级mosfet功率芯片的制造能力,预计营收将达170亿人民币。
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