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合约价格涨势持续至10月,现货市场涨势趋缓
ddr2现货价格涨势趋缓,dxi指数由4256小涨至4285。但是由于ddr2价格涨幅过大,下游买气已经出现有缩手状况,因此仍需要数周待低价库存消化后,再观察消费者能否接受目前高涨的dram价格。
现货市场方面,上周二在力晶将ddr2 ett官价调高至7美元,使得ddr2 ett报价短暂最高曾达7.17美元,带动整体ddr2报价冲高。但由于短线涨幅过大,近期报价已呈现高档整理态势,ddr2 512mb(64mb×8) 667mhz 价格也来到6.77美元。而在ddr部分,由于终端市场仍有一定的需求下,ddr上周价格普遍小涨1至2%左右幅度,ddr 512mb 成交在6.36美元。
本波ddr2自七月起涨以来,下游通路商已经备有些许低价库存,因此当ddr2颗粒价格拉到7美元以上,使得下游买盘出现观望,预计仍需要一到两周左右时间消化原本的低价库存。未来现货市场还需要观察终端消费者是否能够接受价格上涨,若升级需求仍然强劲,现货价格才有机会启动另一波涨势。
至于合约市场部分,9月下旬dram厂与pc oem厂的价格谈判仍在持续中,但是市场共识ddr2合约价还是会持续涨价,ddr2 512mb 667mhz普遍会成交在45美元以上,整体ddr2合约价格约上涨3至5%左右。但是由于dram价格占pc的整机成本比重已高,因此dram价格也不易大涨。而由于pc 出货高峰将会落在10月以及11月,因此预期dram合约价涨势将持续至10月份。
mobile ram 的需求成长
应用在手机中的内存,除了flash之外,尚有数种不同的内存可供选择。
1. sram内存,以4mb为主,多用在入门款手机,与8mb或是16mb的flash,以mcp技术封装在一起。
2. mobile sdram内存,与一般dram类似的设计,也一样分为sdr以及ddr。主要是降低工作电压以符合省电的要求。
3. psram内存,可作为sram与nor之间的桥梁。
4. cellularram内存,cellularram是一种增强的psram内存,cellularram组件完全兼容低功耗的flash接口,简化了内存架构并加速了随机存取时间。
以dram厂来说,与dram设计最为相近的mobile sdram,会是最好的生产选择,但是因其容量较大,目前主要应用在高阶手机或是smart phone,相对于仍占市场多数的中低阶手机,其市场需求量仍较sram及psram来得小。
但在今年全球手机需求量上看九亿五千万支,高阶手机、mp3手机以及照像手机的市占率逐渐攀高的状况下,高阶手机与多媒体手机的市占率在2007年仍会持续升高,使得mobile sdram的需求量也会跟着提升。
nand flash现货价格仍持续向上,唯交易量开始出现下降的状况
上周nand flash现货市场周一到周四仍呈现交易热络的状况,4gb/8gb/16gb等高容量的现货价出现较大的涨幅,特别是16gb因为现货难求而出现价格迅速攀升的情形。但是,周五nand flash现货市场开始出现买气萎缩,部分供货商出现调低价格求单走货的情形,现货市场的报价数度出现落差很大的状况,整体现货价格亦因现货需求的急遽缩减而呈现明显下滑状态。
若将上周二的尾盘和这周一的尾盘价格相比,1gb从2.82涨到2.88美元,涨幅2.1%;2gb从5.07涨到5.10美元,涨幅0.6%;4gb从7.88涨到8.23美元,涨幅4.4%;8gb从15.78涨到16.68美元,涨幅5.7%;16gb从30.95涨到33.64美元,涨幅8.7%。从这些数字来看,不难发现高容量的nand flash是目前现货市场的抢手商品。
根据dramexchange的观察,nand flash主要供货商在九月份采取仅供货给部分key customers的策略,其余多数的下游厂商想要拿货都必须进入现货市场。此外,nand flash主要供货商的slc供货量持续减少,然而目前下游仍有许多商品需要以slc做为主要组件,因此最近slc涨势非常明显,也连带使mlc价格受到影响往上微涨。以目前现货市场的交易状况来看,整体价格是否能持续往上扬仍有许多变量,这周nand flash供货商的新官价公布,下游厂商是否愿意配合仍是重要的观察指标。