存储器原理、存储器知识库-yb体育app官网

…而通用闪存usf（universal flash storage），被视为替代emmc的一种nand flash新接口标准，主要用在智能手机及平板电脑等智能移动装置上，未来或将成为嵌入式存储媒体的主要应用标准之一。

fram（ferromagnetic random access memory），铁电随机存取存储器。fram由麻省理工学院首次提出，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。fram存储器的优点是可在失去电力的情况下，资料毫不受损，且写入速度极快，重复写入的次数高，几乎是无限次数，可大量取代eeprom应用；其缺点为fram存储器的价格仍是大幅高于eeprom约2~3倍之多。

顾名思义，tlc ssd是搭载tlc型nand flash芯片的ssd，因tlc闪存的寿命、耐久度、稳定性等天生缺陷，过去只能用于随身碟，快闪记忆卡等。第一款tlc ssd产品是由三星在2012年10月推出，饱受争议，而随着主控和固件技术的不断演进，各厂商都在尝试着生产tlc ssd。相信不久的将来，tlc ssd将崛起于中低阶市场。

jedec固态技术协会于2014年8月26日发布了新一代低功耗内存标准lpddr4(low power double data rate 4)，规范编号“jesd209-4”。

英特尔将于2014年下半年推出支持ddr4的haswell-e x99芯片组，这将会是更新、更快的内存颗粒标准，不但会提升50%的内存带宽（memory bandwidth），也会降低30%的功耗，届时新的主板都将会采用此芯片组。

东芝旗下的半导体&存储产品公司宣布，启动符合jedec ufs 2.0版本标准的32gb和64gb嵌入式nand闪存模块的样品出货，东芝此举为业内首例。这两种模块还集成了ufs 2.0版本的可选功能——5.8gbps高速mipi® m-phy® hs-g3 i/f，并实现了超高性能，包括650mb/s的读取速度和180mb/s的写入速度。

混合立方体记忆体(hybrid memory cube；hmc)是属于同构型记忆体3d ic堆栈技术，由美系记忆体大厂美光(micron)主导研发，后来三星电子(samsung electronics)、ibm等大厂也先后加入。目前美光已推出hmc产品，由于成本较高，因此初期是导入绘图卡应用、超级计算机、服务器、网络设备等高单价的市场应用为主。