usb type-c不是一个新的标准，而是一种新型usb线缆及连接器的规范，是一整套全新的usb物理规格。type-c的诞生并不久远，连接器的渲染图早在2013年底就出来了，2014年公布的usb 3.1设计图即包括type-a、type-b以及全新设计的type-c。
7月29日美光与英特尔共同发表全新（non-v）非挥发性内存芯片3d xpoint消息在近日占据了各大it头条。其原因在于，3d xpoint是25年来引入市场的首个全新主流存储芯片技术，可同时取代dram与nand在运算端的需求，不仅有高于dram 10倍的密度，更有比nand flash快千倍的速度。那3d xpoint究竟是什么？
sk海力士的高频宽存储器(hbm)很新，而且能够克服ddr4型sdram的频宽限制，甚至达到某种程度的ddr5型存储器频宽。该技术堆栈了四个dram芯片以及一个逻辑芯片，一片一片地堆栈起来，并利用硅穿孔(tsv)与微凸块接合实现芯片至芯片间连接。
intel & richmax举办了一场技术讲解会3d nand technical workshop，intel的技术人员在会上具体揭示了intel 3d nand的计划以及一些技术上的细节。
鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor；finfet)是一种新的互补式金氧半导体(cmos)晶体管，finfet命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。
时隔首款3d v-nand公布后一年多，三星又在isscc 2015研讨会中，发表了第二世代3d v-nand，32层堆栈、tlc结构的128gb配置，三星850 evo ssd也是使用了此款nand flash。从最直观的的比较下，可以看到第一代与第二代的差别在于面积与容量密度的差别…
全闪存储存阵列(all flash storage arrays)已成各储存业者的兵家必争之地。所谓全闪存意指使用固态硬盘(ssd)或快闪存储器(flash memory)等储存媒介取代传统硬盘(hdd)。
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