全球nand闪存市场竞争局势白热化-yb体育app官网

来源:全球半导体观察    原作者:禾忍    

5月16日,爱思开海力士·英特尔dmtm半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连保税区正式开工。

据介绍,该项目是辽宁省、大连市重点推进项目,位于大连金普新区,将建设一座新的晶圆工厂,用于生产非易失性存储器3d nand芯片产品。

这是sk海力士继2021年12月底顺利完成收购英特尔nand闪存及存储业务第一阶段交割后,时隔4个月宣布在大连继续扩大投资并建设新工厂。

1“缺芯”促进厂商加速扩产

近年来,受新冠疫情、俄乌冲突等因素影响,全球半导体产业都面临产能不足的问题,缺芯、涨价等词汇成了业界老生常谈的话题,随之而来的就是企业大规模建厂、扩产。

例如,在晶圆代工领域,台积电、英特尔、格芯、中芯国际等厂商都宣布了扩产计划,但各方都是“单打独斗”。而在存储领域,国际厂商之间似乎更愿意“抱团取暖”,以合作、合并的形式加速产能扩充,其中以sk海力士和英特尔、铠侠和西数这两大组合最为业界所熟知。

sk海力士&solidigm(原英特尔nand闪存业务部门)

众所周知,sk海力士和英特尔原本都是全球前十强的闪存企业,双方在该领域的竞争也是你追我赶。但在2020年,sk海力士宣布收购英特尔nand闪存及存储业务(包括英特尔大连工厂),双方的关系也悄然发生改变。

目前,sk海力士已经完成了收购英特尔nand闪存及ssd业务案的第一阶段交割。与此同时,sk海力士在美国设立了一家名为“solidigm”的子公司,负责运营此次收购的英特尔ssd业务。

根据trendforce集邦咨询的数据,2021年第四季度,sk海力士和solidigm分别以26.15亿美元和9.96亿美元的营收位居全球nand flash品牌厂商第四和第六。

除了共同携手拓展市场之外,sk海力士与solidigm还展开了包括nand产品研发在内的全面合作。今年4月5日,双方首次公开了结合sk海力士128层nand闪存与solidigm的ssd控制器和固件的合作产品。

至于此次非易失性存储器项目落户大连,sk海力士半导体(中国)有限公司总裁郑银泰表示,后续,sk海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作,按计划完成新工厂建设,将大连工厂打造成具有国际竞争力的nand闪存生产基地。

铠侠&西数

除了“sk海力士&solidigm”这对新组合之外,在nand市场,还有一对由来已久且实力同样强劲的“cp”——铠侠和西数。

据悉,铠侠与西数的合作关系已保持长达20年的时间。在此基础上,两家公司定期在工厂运营方面进行合作。甚至有外媒曾在2021年报道,全球第三大闪存芯片厂商西数打算并购排名第二的铠侠,但截至目前,尚未有确切消息和官方回应证实该报道的真实性。

2022年以来,铠侠与西数的合作似乎更加紧密与频繁。

今年3月,铠侠宣布,将在日本岩手县北上工厂建设新的nand flash生产线(fab2)。铠侠表示,计划与西数进行讨论,将闪存合资企业扩展至fab2投资。 

4月,铠侠和西数再次宣布,双方将共同投资位于日本三重县四日市的fab7(y7)制造工厂的第一阶段工程,合资工厂将在今年秋季开始实现初步生产。y7厂的第一阶段将生产3d快闪存储器,包括112层、162层生产及未来制程。

2nand市场前景依然可观

自1987年铠侠的前身东芝存储发明nand闪存以来,全球nand闪存市场规模已达700亿美元,容量也从最初的4mb增加到1.33tb,实现了333,000倍的增长,并且实现了从2d nand向3d nand的技术演变。

经过35年跌宕起伏的发展后,随着近年来大数据、云计算、元宇宙等新兴产业的快速发展,巨大的市场需求无疑对nand产品的容量、性能、及功耗提出了更高的要求。

尽管近年来受俄乌冲突、高通胀、疫情等影响,全球nand flash市场销售增长较慢,但厂商和业界依然乐观看待未来发展。

铠侠预计,在云计算和企业it投资不断增加的环境下,数据中心/企业ssd的需求预计将保持稳定;同时,未来随着5g推广以及存储容量提升,智能手机市场存储需求也将长期增长。

集邦咨询此前总结2021年nand flash市场销售表现则认为,尽管自下半年开始有转弱迹象,但全年受惠于疫情所带动的远距服务与云端需求,营收表现仍较2020年显著增长,产业营收达686亿美元,年增21.1%,上升幅度自2018年以来位居第二高。

3堆叠层数竞争日趋白热化

trendforce集邦咨询此前曾预计,随着110+层闪存芯片的推出,2023年市场总产出的72.5%会被110 层3d nand闪存占据。

当前,各大厂商在nand层数堆叠上的竞争日趋白热化。美光、sk海力士、三星等头部厂商都已突破176层3d nand技术,进入200层以上的的堆叠层数比拼。

目前,三星正在加快200层以上nand闪存的量产步伐,韩国媒体《businesskorea》 曾报道,三星将在今年底明年初推出200层以上的nand产品,并计划在2023年上半年开始量产。

美光更是在近期的投资者日活动上宣布,将在2022年底开始推出232层nand产品,并公布之后的工艺节点依次为2yy、3xx与4xx。

与此同时,西数也在近期公布的闪存技术路线图显示,其计划与yb体育app官方下载的合作伙伴铠侠于2022年底前开始量产162层nand产品。西数还透露,2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

至于sk海力士,最新的3d nand层数是176层,但其前ceo李锡熙在去年的ieee国际可靠性物理研讨会(irps)上展望sk海力士产品的未来计划时曾预测,未来有可能实现600层以上的nand产品。

封面图片来源:拍信网

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