ds techopia计划将nand闪存芯片所需材料扩产50%-yb体育app官网

来源：全球闪存市场 2022-04-07 17:27:10

据韩媒theelec 4月4日消息，韩国nand闪存芯片材料供应商ds techopia计划在第三季度将其用于生产nand闪存芯片的材料六氯乙硅烷（hcds）的产能扩大多达50%。

据了解，hcds用于在硅芯片上形成氧化硅（sio2）和氮化硅（sin）层。该材料被认为比其他材料更稳定、更纯净，广泛用于生产dram和nand闪存芯片的低温沉积工艺。

theelec消息称，ds techopia目前经营着2家生产hcds的工厂，并计划增加第3家工厂，该工厂于2021年年中开始生产。ds techopia发言人表示，第3家工厂比前2家工厂略大，当所有3个工厂都满负荷运转时，该公司每年可生产价值高达900亿韩元的hcds。

ds techopia表示，这样做是因为三星等客户正在扩大其整体nand闪存产量，同时应用更先进的3d工艺。

据businesskorea 4月1日报道，三星已经完成了其在中国西安的二期nand闪存工厂的扩建。该工厂每月可加工13万片12英寸的晶圆，比第一工厂每月12万片要高。

据悉，三星在韩国的新工厂p3也有望在下半年投产时生产176层nand闪存芯片。

封面图片来源：拍信网

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