来源:全球半导体观察
据韩国媒体报道,三星电子准备在韩国平泽新建一个大型半导体生产基地,并计划在9月份启动工厂建设。
报道指出,三星p3工厂的生产制造规模将比p2工厂增加50%,预计将采取“综合半导体工厂”的形式,同时生产dram,nand闪存和系统半导体,并有望采用最新工艺。p3工厂预计将在2021年第三季度竣工,投入量产时间将从2021年底开始。
三星电子是全球最大的存储器厂商,根据集邦咨询半导体研究中心(dramexchange)此前发布的nand flash和dram厂商营收排名显示,2020年第一季度,三星电子在nand flash和dram市场的营收分别为45.01亿美元和65.37亿美元,均排名第一。
目前,三星电子在韩国平泽设有名为“p1”和“p2”的半导体工厂,其中p2是新工厂,已于去年竣工。
6月初,三星电子曾宣布,将在京畿道平泽工业园区投建先进的nand flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始,将为2021年下半年大规模生产三星的尖端v-nand存储器铺平道路。据三星官方当时消息指出,新工厂位于韩国平泽2号线内,计划于2021年2月量产,将专门用于制造三星最先进的v-nand存储器。
封面图片来源:拍信网