英特尔、三星、台积电展示下代cfet架构-yb体育app官网

日前ieee iedm国际电子元件会议，英特尔、台积电和三星都展示cfet晶体管yb体育app官方下载的解决方案，堆栈式cfet架构晶体管将n和p两种mos元件堆叠在一起，未来将取代gaa（gate-all-round）成新晶体管设计，以使密度翻倍。

据悉，英特尔是首家展示cfetyb体育app官方下载的解决方案的大厂，2020年就公开首个早期版本。英特尔这次介绍cfet最简单电路，就是反相器几项改进。cmos 反相器将相同输入电压发送到堆叠两个设备的栅，并产生一个逻辑上与输入相反的输出，且反相器在一个鳍完成。英特尔还将晶体管纳米片数量从两个增加到三个，垂直间隙也从50纳米减到30纳米。

目前5纳米制程栅极间距为50纳米，是使用单侧互连的简单finfet。三星展示的cfetyb体育app官方下载的解决方案，栅极间距为45/48纳米，比英特尔60纳米更小。尽管三星的cfet原型45纳米栅极间距版性能下降，但研究员认为藉制造优化，应可解决问题。

三星成功处是解决电气隔离堆叠的 n 和 p 两种 mos 元件漏电，关键是使用以化学品新型刻蚀取代湿法刻蚀。与英特尔单个晶体管使用三个纳米片不同，三星是成对晶体管使用单nm片。

台积电与三星一样，设法将栅极间距控制在48纳米，cfetyb体育app官方下载的解决方案特点包括一种顶部和底部晶体管间形成介电层的新方法，以保持间距。 纳米片通常由硅和硅锗的交替层形成，台积电尝试硅锗专用刻蚀法，释放硅纳米线前于两个晶体管间构建隔离层。

预计cfet技术转为大规模商用约需七至十年，目前仍有许多前期准备工作要做。

封面图片来源：拍信网