来源:全球半导体观察整理
8月11日,深科技在互动平台表示,深科技沛顿已完成基于8层超薄芯片堆叠技术的lpddr颗粒以及19nm fccsp存储颗粒量产,并且在40um超薄晶圆隐形切割,80um细间距倒装芯片焊接,16层超薄芯片堆叠、系统级封装等关键技术达到国内领先,世界先进。目前,公司是国内唯一具有从集成电路高端dram / flash晶圆封装测试到模组成品生产完整产业链的企业。
深科技表示,合肥沛顿于2021年12月投产以来,产能进度符合预期,计划于2023年底至2024年初满产,届时深科技沛顿月均总产能为12万片/月,可全面配合上游厂商最新的业务发展进度。
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