来源:拓墣产业研究院 原作者:拓墣
根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,由于现行射频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求,逐渐以gaas晶圆作为器件的制造材料,加上随着5g建设逐步展开,射频器件使用量较4g时代倍增,预料将带动gaas射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。
拓墣产业研究院指出,由于射频前端器件特性,包含耐高电压、耐高温与高频使用等,在4g与5g时代有高度需求,传统如hbt和cmos的si器件已无法满足,厂商便逐渐将目光转移至gaas化合物半导体。而gaas化合物半导体凭借本身电子迁移率较si器件快速,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性,因此特别适合应用于无线通讯中的高频传输领域。
由于4g时代的手机通讯频率使用范围已进展至1.8~2.7ghz,传统3g的si射频前端器件已不够使用,加上5g通市场正步入高速成长期,其使用频段也将更广泛(包含3~5ghz、20~30ghz),因此无论是4g或5g通讯应用,现行射频器件都将逐渐被gaas取代。
若以目前市场发展来看,2018年下半年受到手机销量下滑、中美贸易摩擦影响,冲击gaas通讯器件idm厂营收表现,预估2019年idm厂总营收将下滑至58.35亿美元,年减8.9%。
然而,随着5g通讯持续发展,射频前端器件使用数量将明显提升,如功率放大器(pa)使用量,由3g时代的2颗、4g的5-7颗,提升至5g时代的16颗,将带动2020年整体营收成长,预估gaas射频前端器件总营收将达64.92亿美元,年增11.3%。
整体而言,随着各国持续投入建设5g基站等基础设施,预估在2021、2022年将达到高峰,加上射频前端器件使用数量较4g时代翻倍,将可望带动idm大厂skyworks(思佳讯)、qorvo(威讯)新一波营收成长动能,而台厂射频代工制造业稳懋、宏捷科及环宇等,也将随着idm厂扩产而取得订单,逐渐摆脱营收衰退的阴霾。
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