三星量产第2代10纳米finfet制程 产品明年首季问世-yb体育app官网
来源：technews科技新报 原作者：atkinson
韩国科技大厂三星电子于29日宣布，已经开始大规模量产以第2代10纳米（nm）finfet制程技术（10lpp）为基础的单芯片系统（soc）产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年首季问市。
三星表示，针对低功号产品所研发的第2代10纳米（nm）finfet制程技术（10lpp），相较于第1代10纳米（nm）finfet制程技术（10lpe），10lpp的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于该制程是延续于已经量产中的10lpe制程，所以将可以大幅缩短从开发到大量生产的准备时间，并提供更高的初期生产良率，因此更具有市场竞争优势。
三星进一步表示，采用10lpp制程技术制造的单芯片系统产品，预计将于2018年首季推出相关的电子产品。三星电子代工市场行销副总裁ryan lee表示，透过从10lpe制程向10lpp制程的迈进，三星将能够更好地为客户提供服务，同时提高性能，提高初期产量。
另外，三星还同时宣布，位于韩国华城的最新s3生产线，目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。s3是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂，其它2座分别是位于韩国京畿道的器兴（giheung）的s1，以及位于美国奥斯汀的s2。根据规划，三星的7纳米finfet制程技术与euv（extreme ultra violet）技术也预计将在s3晶圆厂中于2018年开始大量生产。
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