来源:全球半导体观察整理
6月8日,美国mocvd设备厂商veeco 宣布,中国台湾半导体研究所(tsri、narlabs)已选择veeco的propel® r&d metal organic chemical vapor deposition(mocvd)设备,用于以氮化镓(gan)为基础的功率和射频器件相关的前沿开发和协作。
据官方介绍,veeco的propel® gan mocvd系统专为功率半导体和射频应用设计,配置了一个单晶圆反应器平台,能够沉积高质量gan膜,用于生产高效功率器件和射频器件。
单晶圆反应器是基于veeco的turbo disc®技术,包括iso flange™和symm heat™突破性技术,能够帮助实现整个晶圆的均质层流及一致的温度曲线,它是大批量生产和300mm功能以及研发应用的理想选择。
veeco 表示,propel® r&d mocvd设备已安装在tsri新竹实验室,能够联合协作推动技术创新,以及gan新兴市场开发和展示技术的能力。此次双方将共同努力和协作加速第三代半导体技术在200和300mm衬底上的大批量、低成本应用。
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