制程升级压力，三大dram厂商euv竞争白热化？-yb体育app官网

据财联社消息，美光总裁暨执行长梅罗特拉（sanjay mehrotra）5月26日表示，中国台湾中科新厂启用后，美光将会导入先进性1a nmdram制程生产以及最先进的极紫外光（euv）设备。

公开资料显示，euv制程采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源的光刻，相较于将蚀刻液喷洒在半导体表面，利用蚀刻液与半导体基底化学反应的duv，蚀刻的各向异性明显改善，对于精确度要求较高的集成电路，euv使电路分辨率和良率得到极大提升。

简单而言，利用euv设备生产dram，将极大的提高产能、良率，并降低成本。这也使得euv的争夺愈加白热化。

基于euv技术对dram技术节点的好处，三星、sk海力士和美光这三大dram厂商已先后进入了euv dram市场。

三星

三星率先引入了euv。2020 年3月，三星率先使用极紫外（euv)光刻技术，同年10月便开始批量生产基于euv的14nm dram。在此过程中，三星将其最先进的14nm ddr5上的euv层数从两层增加到了五层dram工艺。

2021年11月，三星表示，其已经应用euv技术开发了14nm 16gb低功耗双倍数据速率5x (lpddr5x) dram，专门用于5g、人工智能(ai)、机器学习(ml)和其他大数据终端应用等高速率应用。此外，该公司还发布了其首个支持新型计算快速链接(compute expresslink,cxl) 互连标准的dram内存模块，并发布了专为自主电动汽车和高性能信息娱乐系统设计的2gb gddr6和2gb ddr4汽车dram。

今年2月，三星官方表示其基于极紫外（euv）光刻技术的1z-nm工艺的dram已完成了量产。业界消息显示，三星还将继续为下一代dram增加euv步骤，其三星的p3工厂也将采用euv工艺生产10nm dram。

sk海力士

sk海力士引入euv是在2021年。2021年2月，sk海力士完成首个用于dram的euv晶圆厂m16，正式引入了euv光刻设备。2021年7月，sk海力士宣布量产了1a nm工艺的8千兆的lpddr4 euv dram。

官方消息显示，与第三代1z nm内存芯片相比，1a技术在相同的晶圆面积下，生产的芯片数量可以增加25%。此外，202年sk海力士还发布了据称是业界性能最高的ddr5 dram，作为海力士的第三代高带宽内存，该芯片被称为hbm3。

美光

对比前两家的早早加码euv，美光方面则稍晚一些。据外媒此前消息，美光计划从2024年开始，将euv纳入dram开发路线图。美光在2021年推出了其1a nm内存节点dram，推出时该工艺依旧未使用euv光刻技术，美光称其存储密度比之前的1z nm节点dram 提高40%。

今年5月26日，美光表示，将在中国台湾中科新厂启用后导入最先进的极紫外光（euv）设备或用来生产1a nm dram制程。这是否是制程升级给美光带来了新的压力，我们不得而知。但是可以确定的是，三大dram厂商euv竞争已进一步升级。

封面图片来源：拍信网