【存储器】mram概述及其优点-yb体育app官网

mram(magnetic random access memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（sram）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（dram）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

磁阻内存和dram内存采用了完全不同的原理。dram内存用以表示"0"和"1"的方式是判断电容器中的电量多少来进行的，它不仅需要保持通电，还需要周期性地给电容充电才能保证内容不丢。而磁阻内存的存储原理则完全不使用电容，它采用两块纳米级铁磁体，在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向，下面的导体的磁致电阻(magnetoresistance)就会发生变化。电阻一旦变大，通过它的电流就会变小，反之亦然。

与现有的快闪内存（flash）、静态随机存取内存（sram）、动态随机存取内存（dram）相比， mram具有非常优秀的性能。根据美国专业半导体研究机构edn分析，如将mram与 dram、 sram、 flash等内存做比较，在“非挥发性”特色上，目前仅有mram及flash具此功能；而在“随机存取”功能上，则flash欠缺此项功能，仅mram、dram、sram具备随机存取优点。除此之外，mram还具有以下优点：

第一，在读取速度方面：mram及sram的速度最快，同为25～100ns，不过，mram仍比sram快；dram则为50～100ns，属于中级速度相较之下，flash的速度最慢。

第二，在写入次数方面：mram、 dram以及sram则都属同一等级，约可写入无限次的记忆，而flash则只约可写入106次。

第三，在芯片面积方面，mram与flash同属小规格的芯片，所占空间最小；dram的芯片面积则是属于中等规格，sram更是属于大面积规格的芯片，其所占的空间最大。

第四，在嵌入式设计规格方面，dram、sram、flash同属良率低、须增加芯片面积设计规格；而mram则是拥有性能高、不须增加芯片面积的特殊设计。

最后在耗电量方面，只有mram以及sram拥有低耗电的优点，flash则是属于中级的耗电需求，至于dram更是具有高耗电量的缺点。