一枝草一点露 手机用内存市场需求未来不可限量(上)-yb体育app官网

by ch chen, market intelligence team, dramexchange

随着行动通讯应用服务的日益多元化，不论是语音、数据、影像或是多媒体等应用内容，都已经是相当成熟的加值服务，可是相对地对于手机用的内存却是形成某种程度的考验，因为手机用的内存必须要不断提升单位密度，并降低功耗以求省电，同时更需要因应手机体积日益小巧的需求，缩小内存ic的尺寸，最后还要利用多芯片封装（mcp；multi-chip-package）技术将越来越多的内存浓缩放在越来越小的空间，综观这些需求都对内存制造商形成莫大的挑战，但是也说明随着手机市场的逐年成长，手机用的内存市场需求未来成长爆发性将不可限量。

根据集邦科技推估，随着手机多媒体应用日渐增多的趋势，整个手机用的内存（不含nor flash、nand flash）从2003到2007年复合成长率将达110%，未来手机用内存市场需求未来将不可限量，也将会吸引越来越多内存制造商加入生产行列，毕竟以内存制造商而言，若是可以减少标准型内存的产出，改为生产其它手机用内存，不仅可以降低标准型内存市场大起大涨的风险，同时营收也可以随着手机市场成长而上扬。

手机用内存种类多样化 非挥发性内存vs. 挥发性内存

目前常见于手机上的内存可分成非挥发性内存（non-volatile）以及挥发性内存（volatile）两种，其中nor flash及nand flash属于非挥发性内存，所谓的非挥发性内存是指在电流关闭后，暂存于内存上的数据不会随之消失，所以多用于储存韧体程序(firmware)、程序代码(code)，此类内存的技术门坎也较高。

nor flash是由英特尔(intel)所发展出来的架构，读取速度较nand flash快，可以在单位区块(block)上进行读写，需要高电压和较长的涂抹时间，在手机中主要用于储存bios及程序代码，其特性为读取速度快，可以在手机开机时，迅速读取手机上所设定的程序与数据。

nand flash则是由东芝(toshiba)所发展出来的架构，读取数据速度较nor flash慢，但有较小的记忆晶胞(memory cell)面积，每megabit成本较nor flash为低，因此目前市面上的大容量flash产品都以nand flash为主，可作为消费性电子产品数据(data)储存之用，在手机上主要用于储存数据文件，包含图铃、相片、游戏等，其特性为抹除、写入速度快，可迅速的移除、写入档案。

至于挥发性内存可大略分为两种sram(包含low power sram、pseudo sram)、sdram（包含low power sdram、low power ddr sdram）两种，不同于非挥发性内存，挥发性内存当电流关掉后，储存在内存里面的数据也会随之消失。

low power sram为传统6个晶体管结构（6t结构），相较于pseudo sram，不论在体积及成本上都屈于弱势，但电力消耗较小为其优点，这也使得手机在缓冲存储器的选择上low power sram还是颇具优势，不过在高容量的产品上，由于单价过高，市场逐渐被pseudo sram给侵蚀。

而pseudo sram是以dram记忆胞（cell)为数据储存架构，并结合sram的i/o与控制接口，由于手机制造商过去对于sram的设计较为熟悉，将dram包覆着sram的接口，可以让手机制造商容易转换为成本较低的dram，但又不用更改手机的设计；由于pseudo sram本身为dram结构，dram结构为1个晶体管和一个电容的架构（1t架构)，体积小、成本低，但省电性较差为其缺点，故pseudo sram现阶段在16m容量以上的产品较具市场竞争力。