nand flash技术面剖析(下集)-yb体育app官网
来源：
by judy chen, market intelligence team, dramexchange
既然renesas是从hitachi与mitsubishi的半导体部门合并而来，早在hitachi 的时代就已经有使用and flash的技术。and flash可以分成三种：sgi-and、 ag-and与super-and，而我们可以依其使用的制程来区分。sgi-and是用180nm所制造，而ag-and则是使用 130nm以及更先进的制程而制造的。super-and是将ic controller直接设计到sgi-and或 ag-and里，因此，使用的制程会依照原有颗粒的制程，而时程大多会较sgi/ag-and技术晚六个月且只有四分之一到二分之一的容量。ag-and与sgi-and的差异在于写的速度，ag-and较sgi-and更快。就architecture方面来看， renesas只有使用mlc这种规格。renesas现在最先进的技术是做到4gb 90nm的样品，预计于2005三月量产。
twinflash 是infineon 与使用其伙伴saifun的nrom技术所研发的技术。此技术有三个重要的特性：第一，此技术是two bit per cell，在左右的闸门上各储存一个bits (不像nand的技术是以堆栈的方式储存)。第二，因为奇特有的bit储存方式，可使光罩的数目减少进而降低wafer成本，进而以较slc小的实际面积储存相同的容量。最后一个特性是可以使用现有的dram 设备来生产，这就表示infineon可以不需要额外的资本支出。infineon现在只有生产512mb的twinflash，分别以颗粒与sd卡的格式贩售。
虽然现今的nand flash市场slc nand所占最大比重，我们却有看到一些让我们预期在2005年中可看到mlc的比重大大上升的现象。例如，samsung预计在2005第二季开始以75nm生产其第一颗的mlc颗粒; hynix 在2005下半年以90nm 4gb mlc 生产; stmicroelectronics 于2005下半年开始以90nm生产2gb mlc的颗粒。无庸置疑的，当使用mlc生产nand flash的比重越来越高时，每单位成本将大幅下降。举例来说，toshiba自2004第二季已生产4gb/mlc/90nm，之后有renesas在2004地四季生产4gb/mlc/90nm，未来还有 samsung将于2005年第二季生产4gb/mlc/75nm的颗粒。 如果mlc现在所面临的困难可以获得改善，例如较slc慢的读写速度、较短的生命周期(slc : mlc=100k : 10k)以及因为其设计的复杂性而导致较差的产出，我相信低成本的nand flash 年代即将到来!
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