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samsung、toshiba (flashvision llc) 、以及renesas 为2003年以前的三大nand型闪存供货商。2004年初有infineon、hynix 、st microelectronics的加入，再加上年底的力晶与micron，今年总共会有八家厂商分食这个市场。

在这八家厂商中，samsung为市占率最大的一家，也是唯一仅有的一家同时拥有八吋及十二吋厂。samsung自今年四月起开始使用十二吋厂、90奈米制程生产2gb的单一颗粒，而其下一个制程规划是于2005年第一季生产70奈米制程生产4gb的单一颗粒。其余规格的颗粒如512mb及1gb现在都在八吋厂以120奈米的制程生产，并会于今年第三季底转换制程到90奈米。

nand型闪存市场上拥有第二大市占率的就是toshiba(闪存创立者)以及 flashvision llc (toshiba与sandisk于2000年五月九号以50-50的方式合资)。目前它们只有用八吋厂生产，十二吋厂将于2005年会计年度下半年加入生产。对于512mb及512mb以上之规格toshiba都使用130奈米的制程。toshiba于今年四月展示产业第一颗以90奈米制程所制造的4gb单一颗粒。其下一步就是于2005年上半年于八吋厂使用70奈米的技术。

renesas是一家把主力放在十二吋厂来生产nand型闪存的厂商。对于1gb以及以上的规程renesas都使用130奈米的生产制程。预计明年第一季，renesas将会使用90奈米来生产单一4gb颗粒。力晶也为renesas于其十二吋厂以130奈米的制程做512mb的代工，预计将于今年第四季进入量产。

hynix 与 st microelectronics 的策略联盟中订定产出对分的协议，并于今年一月时以512mb、120nm奈米制程进入此市场，并预计于今年第四季将会使用90奈米来量产1gb。虽然目前只有使用八吋厂生产nand型闪存，但是到了明年年中将于新的十二吋厂生产。

infineon亦于今年一月加入nand型闪存市场。初期以170奈米制程于八寸厂生产单一512mb颗粒，而其下一阶段就是于明年以110奈米制程生产单一2gb颗粒。

micron是此市场今年度最晚加入的竞争者，预计将于今年底或明年初于八吋厂90奈米制程来生产单一2gb颗粒，至于明年就尚未有其它规划。