来源:全球闪存市场
据外媒theelec 4月19日报道,三星计划于5月初在其平泽工厂的新晶圆厂p3上安装晶圆厂设备。
theelec引述消息人士称,三星将首先在5月第一周为nand闪存生产安装晶圆厂设备。另外,p3厂区将先建造nand闪存生产线,然后是dram和晶圆代工。
据了解,三星p3厂区是三星平泽厂区的第三座芯片工厂,是一个综合生产基地,同时运营存储器和晶圆代工生产线。p3厂区面积为70万平方米,是p2厂区面积的1.7倍。
报道称,当p3下个月开始量产时,将占用平泽工厂6块工厂用地中的3块。三星预计将在p3之后在平泽建造p4,同时计划在美国建造另一座20万亿韩元的代工工厂。
从2017年开始,三星在韩国平泽一期工厂一楼进行64层nand的生产。2018年,三星在其二楼增设了dram产线。
同年,三星在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂(p2),用于扩大dram、nand flash快闪存储器的产能。新工厂p2总投资额约30万亿韩元,就在距离平泽工厂不远处。
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