外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代nand闪存-yb体育app官网

来源：全球闪存市场 2022-02-09 16:36:40

据businesskorea报道，三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代nand闪存。

businesskorea引述业内人士预测，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的nand闪存。与上一代176层nand产品相比，224层nand闪存可以将生产效率和数据传输速度将提高30%。

businesskorea报道称，三星电子原计划在2021年末开始量产176层nand，但考虑到市场情况，推迟到2022年第一季度。据悉，美国美光已经开始量产176层nand，业内人士预测，三星电子将加快200层以上nand闪存量产的步伐，以夺回技术领先地位。

报道称，美光有望加速200多款nand芯片的开发。随着美光于2021年底在全球首次量产176层nand闪存，业内观察人士认为，该公司拥有量产超高密度nand闪存的专有技术。

封面图片来源：拍信网

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