来源:全球半导体观察整理
4月27日,捷捷微电在投资者互动平台表示,公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”建设用地位于南通市苏锡通科技产业园区内,是配套无锡和上海mosfet团队,目前项目(一期)正在基础设施及配套等建设的最后阶段,计划今年第三季度开始试生产。该项目将有助于推动高端功率半导体发展,满足下游市场需求,扩大市场占有率,缓解mosfet产能紧张的问题等。
此外,二期项目也提上日程。4月25日,江苏捷捷微电子股份有限公司发布公告称,董事会会议同意公司在控股子公司捷捷(南通)科技有限公司建设“高端功率半导体产业化建设项目(二期)”,总投资约6.5亿元。
公告显示,本项目在“高端功率半导体产业化建设项目”的基础设施及配套的基础上,拟采用芯片线宽0.13微米先进工艺制程,新增硬件设备共68台(套),新增软件系统2套。
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