4纳米大战 三星较吃香？抢先用euv、拥抱gaafet-yb体育app官网

晶圆代工之战，7纳米制程预料由台积电胜出，4纳米之战仍在激烈厮杀。外媒称，三星电子抢先使用极紫外光(euv)微影设备，又投入研发能取代“鳍式场效电晶体”(finfet)的新技术，目前看来似乎较占上风。

android authority报导，制程不断微缩，传统微影技术来到极限，无法解决更精密的曝光显像需求，必须改用波长更短的euv，才能准确刻蚀电路图。5纳米以下制程，euv是必备工具。三星明年生产7纳米时，就会率先采用euv，这有如让三星在6纳米以下的竞赛抢先起跑，可望加快发展速度。

相较之下，台积电和格芯(globalfoundries、原名格罗方德)的第一代7纳米制程，仍会使用传统的浸润式微影技术，第二代才会使用euv。

制程微缩除了需拥抱euv，也需开发finfet技术接班人。电晶体运作是靠闸极(gate)控制电流是否能够通过，不过芯片越做越小，电流通道宽度不断变窄，难以控制电流方向，未来finfet恐怕不敷使用，不少人认为“闸极全环场效电晶体”(gate-all-around fet，gaafet)是最佳yb体育app官方下载的解决方案。

今年稍早，三星、格芯和ibm携手，发布全球首见的5纳米晶圆技术，采用euv和gaafet技术。三星路径图也估计，finfet难以在5纳米之后使用，4纳米将采用gaafet。尽管晶圆代工研发不易，容易遇上挫折延误，不过目前看来三星进度最快。该公司的展望显示，计划最快在2020年生产4纳米，进度超乎同业，也许有望胜出。

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