来源:全球半导体观察 原作者:轻语
据市场消息,目前,asml high na euv光刻机仅有两台,如此限量版的euv关键设备必然无法满足市场对先进制程芯片的需求,为此asml布局步伐又迈一步。
当地时间6月3日,全球最大的半导体设备制造商阿斯麦(asml)宣布,携手比利时微电子研究中心(imec),在荷兰费尔德霍芬(veldhoven)开设联合high-na euv光刻实验室(high na euv lithography lab),并由双方共同运营。
据业界信息,high na euv技术是euv技术的进一步发展。na代表数值孔径,表示光学系统收集和聚焦光线的能力。数值越高,聚光能力越好。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统,high na euv光刻技术能够大幅提高分辨率,从而有助于晶体管的进一步微缩。
asml的high na euv设备是芯片制造商制造2nm工艺节点芯片的必备设备,每台设备的成本超过5000亿韩元。据悉,asml最先进的高数值孔径euv设备的数值孔径将从0.33提高到0.55,这意味着设备可以绘制更精细的电路图案。
asmlyb体育app官方下载官网消息指出,经过多年的构建和整合,该实验室已准备好为领先的逻辑和存储芯片制造商、以及先进材料和设备供应商,提供第一台原型高数值孔径euv扫描仪(twinscan exe:5000)以及周围的处理和计量工具。
据介绍,0.55na euv扫描仪和基础设施的准备工作始于2018年,在此之前,asml和zeiss(蔡司)已经能够开发high na euv扫描仪专用yb体育app官方下载的解决方案,涉及光源、光学元件、镜头变形、拼接、降低景深、边缘位置误差和叠加精度。与此同时,imec与其扩展的供应商网络紧密合作,准备了图案化生态系统,包括开发先进的光刻胶和底层材料、光掩模、计量和检测技术、(变形)成像策略、光学邻近校正 (opc) 以及集成图案化和蚀刻技术。准备工作最近取得了首次曝光,首次展示了使用0.55na euv原型扫描仪在veldhoven的金属氧化物光刻胶 (mor) 上印刷的10纳米密集线条(20纳米间距)。
此次联合实验室的开放,被视为high-na euv技术大批量生产准备过程中的重要里程碑。业界预计,随着该技术的不断成熟和普及,将在2025-2026年期间迎来大规模的量产应用。
imec总裁兼首席执行官luc van den hove表示,high-na euv是光学光刻领域的下一个里程碑,有望在一次曝光中对间距为20纳米的金属线/空间进行图案化,并支持下一代dram芯片。与现有的多图案化0.33 na euv方案相比,这将提高产量并缩短周期时间,甚至减少二氧化碳排放量。因此,它将成为推动摩尔定律进入埃时代的关键推动因素。
在芯片制造中,先进制程技术是当前行业研发的重点,掌握研发最新制程技术的大厂主要是台积电、三星、英特尔,从三大厂的动态来看,先进制程研发之争已开启。而光刻设备是芯片制造过程中的核心步骤,目前asml是全球唯一掌握high-na euv技术的设备厂商,随着先进制程芯片竞争日益升温,各大厂瞄准euv先进设备开始抢购。
从订单情况来看,asml财报显示,今年第一季度公司新增订单金额为36亿欧元,其中6.56亿欧元为euv光刻机订单。
这一局,英特尔率先抢下了asml大部分的high na euv光刻机。据此前外媒消息,asml截至2025上半年的高数值孔径euv(high-na euv)设备订单由英特尔全部包揽。并在前不久英特尔宣布完成了asml high-na euv光刻机设备组装。这是asml生产的首台high na euv光刻机,价值高达3.5亿欧元,英特尔计划用该款设备生产1.8nm以下的先进制程芯片。据了解,asml还对外交付了第二台high na euv光刻机,但未透露买家信息。
值得一提的是,asml的订单已超过了十几台,但euv设备的最大客户台积电却表示“不抢asml新设备”。台积电业务开发资深副总经理张晓强此前表示,台积电a16制程不一定要用阿斯麦(asml)high-na euv。现有euv能力支持芯片生产到2026年底,届时a16制程将根据目前蓝图推出。
三星电子方面,该公司联合asml共同投资1万亿韩元在韩国建立新研发中心。该中心位于京畿道华城市asml新园区前,将配备能够实施亚2nm工艺的先进高数值孔径euv光刻设备,并将成为asml和三星电子工程师使用euv设备进行先进半导体研发合作的场所。据此前动态,三星电子已在asml韩国华城新园区附近新获得了一块场地,将于明年开始建设,计划在竣工时引进[高数值孔径]设备,预计最晚会在2027年完成。
三星电子还与asml euv光刻机组件供应商蔡司联手,在euv领域深化合作。公开资料显示,蔡司集团是全球唯一的极紫外(euv)光系统供应商asml holding nv的光学系统唯一供应商。据透露,每台euv光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。
三星电子此前指出,其目标是引领3nm以下的微制造工艺技术,今年计划采用euv光刻技术量产第六代10纳米dram芯片。未来,三星电子积极寻求到2025年实现2nm芯片商业化,到2027年实现1.4nm芯片商业化。
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